ALD（原子層堆積）/ALE（原子層エッチング）技術の基礎と応用

セミナー趣旨

AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD（原子層堆積）/ALE（原子層エッチング）技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

受講対象・レベル

・半導体プロセス・デバイスの初学者
・ALD技術の導入を検討している技術者
・本テーマに興味のある方ならどなたでも受講可能。

習得できる知識

・ALD/ALE技術の基礎
・薄膜形成技術の基礎
・薄膜加工技術の基礎
・薄膜を使った半導体デバイスの動作原理
・薄膜デバイスの信頼性評価方法

セミナープログラム

１．薄膜形成技術
　　1.1　薄膜作製/加工の基礎
　　1.2　薄膜の評価手法
　　　1.2.1　電気的評価
　　　1.2.2　化学的分析手法
　　　1.2.3　光学的評価手法
２．ALD/ALE技術の基礎
　　2.1　ALD技術の原理
　　2.2　ALD薄膜の特長
　　2.3　ALD技術の歴史
　　2.4　ALD装置の仕組み
　　2.5　ALD技術の材料
　　2.6　ALE技術の基礎
　　2.7　ALE技術の課題
３．ALD/ALE技術の応用
　　3.1　パワーデバイスへの応用
　　3.2　酸化物薄膜トランジスへの応用
　　3.3　MOS LSIへの応用
　　3.4　太陽電池への応用
４．ALD/ALE技術の将来
　　4.1　ALD/ALE技術の課題
　　4.2　ALD/ALE技術の展望

パワーエレクトロニクス,ALD,Atomic Layer Deposition,原子層

セミナー講師

奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学研究領域　
情報機能素子科学研究室　教授　博士（工学）浦岡 行治　氏

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
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　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。
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