【中止】ミストCVD技術の詳細と酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成技術

セミナープログラム

第1部（10:30-13:00）
ミスト流を利用した機能膜形成手法の概要（川原村敏幸先生）

ミスト流を利用した機能膜作成手法に関して、経緯、歴史、作製膜の特性、デバイス、ミストCVDに関する物理、次世代へ向けた開発の方向性等、詳しく説明します。

　　　１．緒言（自己紹介、高知工科大学について、高知工科大学 総合研究所について）
　　　２．機能膜作製技術の現状とこれからの開発ポイント
　　　　2.1　 どういった物に利用されているのか
　　　　2.2 　それらを作製するシステムの大きさやコストについて
　　　　2.3 　省エネプロセスの必要性とそれが達成されない理由
　　　　2.4 　大気圧下で対象とする機能膜を形成する為のポイント
　　　３．ミストを利用した機能膜形成技術「ミストCVD」の特徴
　　　　3.1 　ミスト法とは
　　　　3.2　 従来の成膜手法に対するミストCVD法の立場
　　　　3.3 　超音波噴霧を利用した機能膜形成技術の歴史
　　　4．ミスト流を用いた機能膜作製システムの装置群
　　　　4.1 　ミスト流を用いた機能膜作製システム
　　　　4.2 　原料供給器
　　　　4.3 　成膜反応装置周囲の基本システム
　　　5．ミストCVDの物理１
　　　　5.1 　均質膜を作製する為の３つの手段
　　　　5.2 　液滴のライデンフロスト状態
　　　6．ミストCVDで作製出来る機能膜
　　　　6.1 　これまでに形成できた薄膜種
　　　　6.2 　酸化亜鉛系(ZnO)
　　　　6.3 　酸化ガリウム系(Ga2O3)
　　　　6.4 　酸化アルミニウム(AlOx)
　　　　6.5 　酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)
　　　　6.6 　有機膜
　　　　6.7 　層状硫化モリブデン(MoS2)
　　　　6.8 　その他
　　　7．ミストCVDで作製したデバイス
　　　　7.1 　大気圧手法により形成された酸化物TFTの現状
　　　　7.2 　ミストCVDによるIGZO TFTの作製
　　　　7.3 　特性および最適化
　　　　7.4 　その他のデバイス(IGZO, Ga2O3, SnO2 MESFET, Organic SC等)
　　　8．まとめ
　　　　8.1 　ミストCVDとこれからのミストCVD
　　　　8.2 　ミストCVDの他なる可能性

第2部（14:00-16:30）
酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成技術～ミストCVD法を中心として（西中浩之先生）

酸化ガリウムのデバイスを作製するうえでの結晶成長技術のポイントや高品質化について説明します。また特許から見た開発状況などについても説明する予定です。

　　　１．酸化ガリウムの基礎物性
　　　　1.1 　酸化ガリウムのデバイス構造からみた開発のポイント
　　　　1.2 　酸化ガリウムの結晶多形
　　　　1.3 　酸化ガリウムの研究機関
　　　２．酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　　　　2.1 　結晶成長・薄膜形成方法
　　　　2.2 　酸化ガリウムで用いられる結晶成長・薄膜形成方法
　　　３．α相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　　　　3.1 　α-Ga2O3の結晶成長
　　　　3.2 　成長法
　　　　3.3 　課題と高品質化
　　　　3.4 　混晶化技術
　　　　3.5 　デバイス動作（結晶成長から見た）
　　　　3.6 　n型制御
　　　　3.7 　p型制御　
　　　４．β相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　　　　4.1 　β-Ga2O3の結晶成長
　　　　4.2 　成長法
　　　　4.3 　n型制御
　　　　4.4 　混晶化技術
　　　　4.5 　デバイス動作（結晶成長から見た）
　　　５．κ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　　　　5.1 　κ-Ga2O3の結晶成長
　　　　5.2 　成長法
　　　　5.3 　強誘電体特性とHEMT
　　　　5.4 　混晶化技術
　　　　5.5 　高品質化
　　　６．γ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　　　　6.1 　γ-Ga2O3の結晶成長
　　　　6.2 　混晶化技術
　　　　6.3 　成長法
　　　７．結晶多形の制御方法
　　　８．まとめと展望

セミナー講師

川原村　敏幸　氏　　　　高知工科大学　総合研究所　ナノテクノロジー研究センター
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　／　システム工学群 知能機械システム工学教室　教授
西中　 浩之　氏　　　　京都工芸繊維大学　電気電子工学系　准教授

セミナー受講料

お1人様受講の場合　51,700円[税込]／1名
1口でお申込の場合　62,700円[税込]／1口（3名まで受講可能）
 
受講申込ページで2～3名を同時に申し込んだ場合、自動的に1口申し込みと致します。

受講について

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