【Live配信セミナー】EVシフトに伴うパワーデバイスの最新開発状況と今後の動向、課題

セミナー趣旨

2023年、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVはもはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaNならびに酸化ガリウムパワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

習得できる知識

１．パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向
２．シリコンMOSFGETならびにシリコンIGBTの強み
３．SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
４．パワー半導体デバイス全体ならびにSiC/GaN市場予測
５，シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
６．SiC/GaNパワーデバイス特有の設計ならびにプロセス技術
７．酸化ガリウムパワー半導体の特徴と課題
など

セミナープログラム

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
　1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1.2 パワー半導体の種類と基本構造
　1.3 パワーデバイスの適用分野
　1.4 最近のトピックスから
　1.5 新パワーデバイス開発の位置づけ
　1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
　1.7 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
　2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
　2.2 MOSFET特性改善を支える技術
　2.3 IGBT特性改善を支える技術
　2.4 IGBT薄ウェハ化の限界
　2.5 IGBT特性改善の次の一手
　2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
　2.7 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3.1 半導体デバイス材料の変遷
　3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
　3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
　3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
　3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
　3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
　3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
　3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

４．GaNパワーデバイスの現状と課題
　4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4.2 GaNデバイスの構造
　4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　4.5 ノーマリ−オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　4.6 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
　4.7 GaN-HEMTの課題
　4.8 縦型GaNデバイスの最新動向

５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
　5.1 酸化ガリウムの特徴は何
　5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
　6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　6.2 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
　6.3 接合材について
　6.4 銀または銅焼結接合技術
　6.5 SiC-MOSFETモジュール技術

７．まとめ

【質疑応答】

セミナー講師

筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授　博士(工学)　岩室 憲幸 氏

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕

受講について

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