ALDプロセス（原子層堆積）の反応機構、薄膜形成とその応用事例

セミナー趣旨

AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD（原子層堆積）技術やALE（原子層エッチング）技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積やエッチングの原理や材料について詳しく紹介する。また、ALDについては、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイス、太陽電池に応用した時の特長や課題についても紹介する。

習得できる知識

・薄膜形成、加工の物理、評価技術
・半導体プロセス技術
・半導体デバイス技術
・信頼性評価技術

セミナープログラム

1. 薄膜形成技術
   1. 薄膜作製/加工の基礎
   2. 薄膜の評価手法
      1. 電気的評価
      2. 化学的分析手法
      3. 光学的評価手法
2. ALD技術の基礎
   1. ALD技術の原理
   2. ALD薄膜の特長
   3. ALD技術の歴史
   4. ALD装置の仕組み
   5. ALD技術の材料
3. ALD技術の応用
   1. パワーデバイスへの応用
   2. 酸化物薄膜トランジスへの応用
   3. MOS LSIへの応用
   4. 太陽電池への応用
4. ALE技術の基礎
   1. ALEの歴史
   2. ALEの原理
5. ALE技術の応用事例
   1. シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
   2. シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
   3. Co等金属膜への応用
6. ALD/ALE技術の課題と展望

【質疑応答】

セミナー講師

奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学領域　教授　博士(工学)　浦岡 行治 氏

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕

受講について

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