自動車の電動化に向けた、シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

セミナー趣旨

習得できる知識

パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナープログラム

セミナー講師

筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸　氏
【経歴・研究内容・専門・ご活動など】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月-　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
【著書】
1．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」　（科学情報出版, 2019年9月）
2．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆　(Elsevier, Oct. 2018)
3．（監修書）「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス　2022年2月）
4．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）
5．（編集書）「世界を動かすパワー半導体　－IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ）
【受賞】
日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞　(2020年12月)
電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞　(2020年4月)
電気学会　優秀技術活動賞　グループ著作賞(2011年)
【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術

セミナー受講料

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※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

Zoom配信の受講方法・接続確認

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• 以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。
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アーカイブ配信の受講方法・視聴環境確認

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• 視聴期間は営業日で10日間です。ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
• セミナーに関する質問に限り、後日に講師にメールで質問可能です。
  （テキストに講師の連絡先が掲載されている場合のみ）
• 動画視聴・インターネット環境をご確認ください
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配布資料
PDFテキスト(印刷可・編集不可)

その他注意事項
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※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。