プラズマを用いたワイドギャップ半導体基板の研磨技術

セミナー趣旨

　パワーデバイス用の単結晶SiC、GaN、ヒートスプレッダや耐摩耗性コーティング用のダイヤモンド等の硬脆機能材料の仕上げ加工には、無歪かつ高能率な研磨能力が要求されます。しかしながら、これらの難加工材料に対して従来の工具と材料の硬度差を利用する物理的な機械加工法を適用すると脆性破壊や塑性変形現象を利用するため、加工面には必然的にダメージが導入され、基板が本来有する優れた物理・化学的性質を維持できません。また、化学機械研磨（CMP）ではダメージは導入されないものの、研磨レートが低い、薬液を含むスラリーを用いるため環境負荷が大きい、といった問題を有します。
　これらの問題を解決するために、プラズマを用いて難加工材料の表面を改質し、軟質砥粒を用いて軟質な改質膜を除去するプラズマ援用研磨法（PAP: Plasma-assisted Polishing）が開発されました。本手法を適用するとワイドギャップ半導体材料やダイヤモンドを極めて高能率かつダメージフリーに研磨でき、サブナノメータオーダの表面粗さが得られます。本セミナーでは、プラズマ援用研磨法の原理とその応用例を紹介します。
　

受講対象・レベル

・材料メーカー、パワーデバイスメーカー、ダイヤモンド成膜メーカー、工具メーカー

習得できる知識

・プラズマを用いた高能率ダメージフリー研磨技術

セミナープログラム

1．プラズマ援用研磨（PAP）とは？
　1-1. プラズマ援用ナノ製造プロセスの必要性
　1-2. 化学機械研磨（CMP）とPAPの比較
　1-3. プラズマ援用研磨のターゲット

2．加工原理
　2-1. プラズマ照射による表面改質効果
　2-2. 単結晶SiCにおけるプラズマ酸化と熱酸化の比較
　2-3. プラズマ援用研磨の研磨メカニズムと研磨面の評価

3．研磨事例の紹介
　3-1. 4H-SiC（0001）
　3-2. GaN（0001）
　3-3. 反応焼結SiC
　3-4. AlN焼結基板
　3-5. 単結晶ダイヤモンド
　3-6. 多結晶ダイヤモンド

キーワード：
プラズマ,援用,研磨,加工,半導体,ダイヤモンド,ワイドギャップ,パワーデバイス

セミナー講師

大阪大学　大学院　工学研究科附属精密工学研究センター　センター長
栄誉教授　博士（工学）　山村 和也 氏

＜ご専門＞
　超精密加工

＜学協会＞
　精密工学会、砥粒加工学会、電気加工学会、国際生産加工アカデミー（CIRP）

＜ご略歴＞
　1.令和6（2024）年4月　大阪大学　栄誉教授
　2.令和6（2024）年4月　紫綬褒章受章
　3.平成29 (2017) 年8月　大阪大学　教授（大学院工学研究科）
　4.平成13 (2001) 年8月　大阪大学　助教授（大学院工学研究科）
　5.平成13 (2001) 年1月　論文博士（工学）（大阪大学）
　6.平成3 (1991) 年4月　大阪大学助手（工学部）
　7.平成3 (1991) 年3月　大阪大学大学院工学研究科精密工学専攻　博士前期課程　修了
　8.平成元 (1989) 年3月　大阪大学工学部精密工学科　卒業

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合39,600円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
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　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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