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■装置メーカーの立場から、プラズマCVD装置の技術/課題と対策を解説■
30年以上の実績・経験がある装置メーカーから、実務レベルで解説いたします!
日時
2024年10月30日(水)23:59まで申込み受付中/【収録日:2024年5月22日】
視聴期間:申込日から10営業日後まで(期間中は何度でも視聴可)
セミナー趣旨
装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。
この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。
習得できる知識
プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。
セミナープログラム
1.1 プラズマCVD装置の構成
1.2 反応チャンバーの基本構成
2.プラズマCVD装置の用途
2.1 適用アプリケーション
3.プラズマCVD装置のプロセス性能
3.1 SiH4系SiO2膜
3.2 SiH4系SiN膜
3.3 SiH4系SiON膜
3.4 SiH4系a-Si膜
3.5 SiH4系SiC膜
3.6 TEOS系SiO2膜
3.7 液体ソース系SiN膜
4.開発用装置と量産用装置
4.1 プラットフォーム
5.プラズマCVD装置の課題と対策
5.1 高レート化
5.2 プロセスの再現性
5.3 低パーティクル
5.4 チャンバークリーニング
5.5 ウェーハ温度の低温化
5.6 ウェーハ大口径化 など
■Q&A■
このセミナーに関する質問に限り、講師とメールにて個別Q&Aをすることができます。
具体的には、セミナー資料に講師のメールアドレスを掲載していますので、セミナーに関する質問がございましたら
直接メールでご質問ください。
(ご質問の内容や時期によっては、ご回答できない場合がございますのでご了承下さい)。
セミナー講師
SPPテクノロジーズ(株)
製造部 次長 兼 生産管理グループ長 兼 マーケティング部 マネジャー 金尾 寛人 氏
【略歴】
1989年3月 名古屋工業大学 工学部 第一部 電気情報工学科を卒業.
1989年4月 住友金属工業(株)に入社.
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月 住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング(現在)
【経歴・研究内容・専門・活動】
1989年3月 名古屋工業大学 工学部 第一部 電気情報工学科を卒業.
1989年4月 住友金属工業(株)に入社.
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月 住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング(現在)
セミナー受講料
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49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )
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※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
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1名申込みの場合:受講料( 定価:37,400円/E-mail案内登録価格 35,640円 )
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配布資料
- PDFテキスト(印刷可)
- 講師メールアドレスの掲載:有
その他注意事項
※オンライン配信セミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。
※講師の所属などは、収録当時のものをご案内しております
申込締日:2024/10/30
※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です
開催日時
オンデマンド
受講料
49,500円(税込)/人
※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます
※銀行振込 または、当日現金でのお支払い
開催場所
全国
主催者
キーワード
プラズマ技術 薄膜、表面、界面技術 半導体技術申込締日:2024/10/30
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オンデマンド
受講料
49,500円(税込)/人
※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます
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キーワード
プラズマ技術 薄膜、表面、界面技術 半導体技術関連教材
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