次世代のパワーデバイス　酸化ガリウムの基礎と最新開発動向【LIVE配信・WEBセミナー】

酸化ガリウム基礎と最新開発動向～課題と展望、解決策、研削加工技術～について解説！

■本講座の注目ポイント　★次世代パワーデバイスおよび半極限環境デバイス用途の新半導体材料として　　世界中から期待されている酸化ガリウム。　　その基礎と開発動向、将来展望、　　そしてパワー半導体用基板材料の研削加工・ 酸化ガリウムの研削加工における問題点まで学べる　　充実した講座です！

セミナー講師

第1部　 大阪公立大学　 大学院工学研究科　 東脇　正高　氏 第2部　 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー　 取締役　 佐々木　公平　氏 第3部　 旭ダイヤモンド工業株式会社　 主任　 坂田　脩　氏

セミナー受講料

【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。

セミナープログラム

【第1講】 酸化ガリウムの基礎とそのエピタキシャル成長およびデバイス開発動向【時間】 13:30-14:15【講師】大阪公立大学　大学院工学研究科　東脇　正高　氏【講演主旨】酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイスおよび極限環境デバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3の基礎物性を紹介した後、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

【プログラム】1. Ga2O3の材料的特徴とポテンシャル2. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術の研究開発状況3. Ga2O3トランジスタの研究開発状況4. Ga2O3ショットキーバリアダイオードの研究開発状況5. まとめ、実用化への展望

【キーワード】酸化ガリウム (Ga2O3)、エピタキシャル成長、トランジスタ、ダイオード

【講演者の最大のPRポイント】世界初のGa2O3トランジスタの動作実証に代表される、様々な材料・デバイス基盤技術の開発実績を有する本分野のパイオニア・第一人者。

【習得できる知識】・ Ga2O3の物性およびその応用領域・Ga2O3材料・ デバイス研究開発のこれまでの経緯、現在の動向

【第2講】 β型酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状と将来展望【時間】 14:30-15:45【講師】株式会社ノベルクリスタルテクノロジー　取締役　佐々木　公平　氏

【講演主旨】β型酸化ガリウムは、その材料物性と品質の高さから、次世代のパワーデバイス半導体材料として世界中から注目されている。我々のチームは2010年から酸化ガリウムの結晶成長技術開発とそのパワーデバイス応用に取り組んできた。これまでは日本初の技術として我々が世界を大きくリードしてきたが、ここ数年は中国と米国での開発の進展が著しい。本講座では、過去十数年の酸化ガリウム開発の歴史と現在の技術レベルを俯瞰し、今後の開発課題についてまとめたいと思う。

【プログラム】1. 酸化ガリウムの特徴2. 酸化ガリウムの結晶成長技術　2.1 バルク成長技術　2.2 エピ成長技術3. 酸化ガリウムウエハの欠陥検査技術4. 酸化ガリウムパワーデバイス5. 酸化ガリウムの課題と解決策6. まとめ

【キーワード】酸化ガリウム、β-Ga2O3、結晶成長、パワーデバイス、ダイオード、トランジスタ

【講演者の最大のPRポイント】講演者は、酸化ガリウム開発のトップランナーの一人として、その結晶成長技術開発からデバイス応用まで携わってきた。国内外の特許出願数は200件を超える。本講演では酸化ガリウム開発の全容をお伝えしたい。

【習得できる知識】・酸化ガリウムの魅力・結晶成長技術や欠陥検査技術、パワーデバイス開発の現状と将来展望・酸化ガリウムの課題と解決策について

【第3講】 パワー半導体用基板材料の研削加工・ 酸化ガリウムの研削加工における問題点【時間】 16:00-17:15【講師】旭ダイヤモンド工業株式会社　主任　坂田　脩　氏

【講演主旨】次世代のパワー半導体用基板として開発が進められている酸化ガリウムは、SiCやGaNとは大きく異なる加工の難しさがある。酸化ガリウムは結晶構造に起因した劈開性から、非常に割れやすく、薄厚化にはよりストレスの少ない加工が必要となる。また、特定の結晶面へのウェハ表面研削加工においては、加工面性状が不均一になりやすいといった問題点もある。本講演では酸化ガリウムウェハのSiCウェハとの研削性の違いや、砥石種類、研削条件違いなどの加工事例を紹介し、表面性状の均一化に向けた取り組みを解説する。

【プログラム】1．半導体基板と加工用工具　1-1　半導体基板の加工工程と工具　2-2　砥石の種類と特徴

２．酸化ガリウムの表面研削加工　2-1　酸化ガリウム表面研削の課題　2-2　SiCと酸化ガリウムの研削性の違い　2-3　各種砥石による研削性の違い

３．酸化ガリウム研削加工表面の均一化　3-1　研削方式、研削条件による違い　3-2　高番手砥石による表面均一化

４．今後の展望

質疑応答

【講演の最大のPRポイント】シリコン，SiCをはじめとした様々な半導体基板用砥石の設計・開発、および研削加工評価に携わっており、実際に研削加工を行い、直面した酸化ガリウムならではの問題点や知見を講演致します。酸化ガリウムの加工を検討する際の一助になれば幸いです。

【習得できる技術】はじめに半導体基板の機械加工に用いられる工具と砥石の種類を紹介します。また、実際に酸化ガリウム基板の表面を各種砥石で研削加工した事例や、SiC基板との研削性の違い、酸化ガリウムならではの課題などを解説します。最後に、酸化ガリウム研削の課題の一つである表面の均一化に向けての取り組み、今後の課題・展望を紹介します。