次世代パワー半導体セミナーダイヤモンドと酸化ガリウムの最新動向＜Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴あり＞

セミナープログラム

●第一部　13:00～14:50
『ダイヤモンド半導体：ダイヤウェハ結晶成長とパワー半導体デバイスの進展』

佐賀大学　嘉数 誠　氏

■はじめに
近年、地球温暖化が社会問題になり、省エネルギー、大電力化が可能なダイヤモンド半導体に注目が集まっている。ダイヤモンド半導体は、最もワイドギャップで、究極の半導体ともよばれている。
本セミナーでは、ダイヤモンド半導体、パワー半導体の基礎からはじめ、前回（昨年）から更に大口径化（現在2インチ）、高品質化が進んだダイヤモンド半導体ウェハの結晶成長技術と出力電力が向上し世界最高水準に達したダイヤモンド半導体デバイスの成果に加え、ダイヤモンドパワー回路の最近の成果について解説を行う。

■想定される主な受講対象者
電機メーカー、素材メーカー、化学メーカー、半導体製造装置メーカーの方、半導体商社の方、国研、大学などの研究者の方、半導体やパワーエレクトロニクスに興味のある方

■必要な予備知識
本テーマにご興味のある方ならどなたでも歓迎します。
参加者のバックグランドに応じて、文系の方にもわかりやすく、解説いたします。

■セミナー（第一部）に参加して修得できること
・ダイヤモンドがパワー半導体として期待される理由
・なぜ大口径／高品質ダイヤモンド半導体ウェハが実現したか
・なぜ最高水準の出力電力を示したダイヤモンド半導体デバイス
・ダイヤモンド半導体・パワー回路の特性

■セミナー内容

１．ダイヤモンド半導体の基礎知識
　　1）ダイヤモンドの構造的性質
　　2）ダイヤモンドの電子物性

２．ダイヤモンドの結晶成長の基礎知識
　　1）様々な結晶成長方法
　　2）CVD成長法　
　　3）ヘテロエピタキシャル成長法

３．パワー半導体デバイスの基礎知識
　　1）パワー回路とパワー半導体デバイス
　　2）高周波パワー半導体デバイス
　　3）ダイヤモンドがパワー半導体に優れている理由

４．2インチ径ダイヤモンド半導体ウェハの結晶成長
　　1) 背景－従来の技術
　　2）ヘテロエピタキシャル結晶成長方法
　　3）ウェハ作製方法
　　4) X線回折結果
　　5) 電子顕微鏡観察結果
　　6) 結晶欠陥評価
　　7) 結晶成長機構
　　8) まとめ

５．最高水準の出力電力を示すダイヤモンドパワー半導体デバイス
　　1) 背景－従来の技術
　　2）作製方法
　　3）デバイス特性
　　　　a) DC特性
　　　　b) 高電圧特性
　　　　c) 考察
　　4) まとめ

６．ダイヤモンド半導体・パワー回路
　　1) 背景
　　2）作製方法
　　3）パワー回路特性
　　　　a) スイッチング特性
　　　　b) ストレス特性（寿命試験）
　　　　c) 考察
　　4) まとめ

７．まとめ
　　1) まとめ
　　2）今後の課題

●第二部　15:00～17:00
『酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向』

大阪公立大学　東脇 正高　氏

■はじめに
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイスおよび極限環境デバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3の基礎物性を紹介した後、現在までのバルク融液成長、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

■想定される主な受講対象者
本テーマにご関心のある電機、自動車メーカーなどの方

■必要な予備知識
特にございません。

■本セミナーに参加して修得できること
・Ga2O3の物性およびその応用領域
・Ga2O3結晶成長に関する研究開発のこれまでの経緯、現在の動向
・Ga2O3デバイス研究開発のこれまでの経緯、現在の動向

■セミナー内容

1. はじめに
　　1）Ga2O3の材料的特徴（SiC, GaNとの比較から）
　　2）将来的なGa2O3デバイスの用途

2. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術の研究開発状況
　　1）MBE成長
　　2）HVPE成長
　　3）MOCVD成長

3. Ga2O3トランジスタの研究開発状況
　　1）横型FET（高周波、極限環境デバイス）　
　　2）縦型FET（パワーデバイス）

4. Ga2O3ダイオードの研究開発状況
　　1）縦型フィールドプレートショットキーバリアダイオード
　　2）縦型ガードリングショットキーバリアダイオード
　　3）縦型p-nダイオード

5. まとめ、今後の課題

●当日のスケジュール予定
【嘉数 誠　氏】 
第1部　　13:00-14:50　 
------------------------- 
13:00～14:40　講義①　　100分 
14:40～14:50　質疑応答 
------------------------ 
(小休憩　10分) 

【東脇 正高　氏】 
第2部　　15:00-17:00　 
------------------------ 
15:00～16:40　講義② 100分 
小休憩（10分） 
16:50～17:00　質疑応答

セミナー講師

佐賀大学　大学院 理工学研究科　教授 博士（工学）　嘉数 誠 氏
大阪公立大学 大学院工学研究科　
電子物理系専攻 電子物理工学分野　教授 博士（工学）　東脇 正高 氏

嘉数 誠　氏
【略歴】
1985年 京都大学工学部電気工学科卒業
1990年 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻博士課程　単位取得退学
1990年 日本電信電話株式会社入社・基礎研究所（現在の物性科学基礎研究所）　
2011年　佐賀大学大学院工学系研究科　教授　（現在に至る）
この間
1992年　京都大学・博士（工学）号取得
2002年～2003年　独・ウルム大学 電子デバイス回路学科・客員研究員
2007年　パリ大学（第13）工学部 プラズマ工学専攻・招聘教授
2015年～2018年 宇宙航空研究開発機構　宇宙科学研究所 宇宙機応用工学研究系　客員教授
【専門】
半導体工学、特にワイドギャップ半導体の結晶成長、デバイス開発
【本テーマ関連学協会での活動】
応用物理学会フェロー

東脇 正高　氏
【略歴】
1998年　大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了：博士（工学）
2000～2022年　（国研）情報通信研究機構にて、化合物半導体電子デバイス開発に従事
（2010年より酸化ガリウム電子デバイス開発に従事）。
2022年　大阪公立大学 大学院工学研究科 教授。
現在に至る。
【専門】
化合物半導体電子デバイス、薄膜結晶成長
【本テーマ関連学協会での活動】
・ ワイドギャップ半導体学会　企画主査
・ 応用物理学会「先進パワー半導体分科会」　幹事
・ 電気学会「次世代化合物電子デバイスとその応用調査専門委員会」　委員
・ 電子情報通信学会「電子デバイス（ED）研究専門委員会」　専門委員
など

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)
　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。（開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです
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