ALD（原子層堆積）/ALE（原子層エッチング）技術の基礎と応用、現状課題と展望まで

セミナー趣旨

  AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くから色々な手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。
  本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD（原子層堆積）/ALE（原子層エッチング）技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

受講対象・レベル

・半導体プロセス・デバイスの初学者
・ALD技術の導入を検討している技術者
・本テーマに興味のある方ならどなたでも受講可能。

必要な予備知識

半導体プロセスに興味のある方なら、特に予備知識の必要はない。

習得できる知識

・ALD/ALE技術の基礎
・薄膜形成技術の基礎
・薄膜加工技術の基礎
・薄膜を使った半導体デバイスの動作原理
・薄膜デバイスの信頼性評価方法
   など

セミナープログラム

1．薄膜形成技術
　1.1　薄膜作製/加工の基礎
　1.2　薄膜の評価手法
　　1.2.1　電気的評価
　　1.2.2　化学的分析手法
　　1.2.3　光学的評価手法
2．ALD技術の基礎
　2.1　ALD技術の原理
　2.2　ALD薄膜の特長
　2.3　ALD技術の歴史
　2.4　ALD装置の仕組み
　2.5　ALD技術の材料
3．ALE技術の基礎
　3.1　ALE技術の原理
　3.2　ALEの歴史
　3.3　ALEの特長
　3.4　ALE技術の課題
4．ALD技術の応用
　4.1　パワーデバイスへの応用
　4.2　酸化物薄膜トランジスへの応用
　4.3　MOS LSIへの応用
　4.4　太陽電池への応用
5．ALE技術の応用事例
　5.1　シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
　5.2　シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
　5.3　Co等金属膜への応用
6．ALD/ALE技術の将来
　6.1　ALD/ALE技術の課題
　6.2　ALD/ALE技術の展望
＜質疑応答＞

＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

セミナー講師

 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域 教授　   浦岡 行治 氏

■ご略歴
1985年3月　豊橋技術科学大学　電気電子工学専攻終了
1985年4月　松下電器産業株式会社半導体研究センター入社
1999年4月　奈良先端科学技術大学院大学　助教授
2009年4月　奈良先端科学技術大学院大学　教授
■ご専門および得意な分野・ご研究
半導体プロセス・デバイス
■本テーマ関連学協会でのご活動
応用物理学会フェロー
IEEEフェロー
AMFPD国際会議実行委員長
薄膜材料デバイス研究会組織委員
電子デバイス界面テクノロジー研究会運営委員

セミナー受講料

【オンライン：見逃し視聴なし】1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンライン：見逃し視聴あり】1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです
  →環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です
  →こちらをご確認ください