レジスト・微細加工用材料への要求特性と最新技術動向

メモリー、マイクロプロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっています。
本講演では、リソグラフィの基礎、最新のロードマップを述べた後、デバイスの微細化を支えるレジスト・微細加工用材料の基礎、EUVレジストを中心に現在の3nmロジックノードに対応するレジスト・微細加工用材料の要求特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめます。

１．リソグラフィの基礎
　1.1 露光
　　1.1.1 コンタクト露光
　　1.1.2 ステップ＆リピート露光
　　1.1.3 スキャン露光
　1.2 照明方法
　　1.2.1 斜入射（輪帯）照明
　1.3 マスク
　　1.3.1 位相シフトマスク
　　1.3.2 光近接効果補正（OPC）
　　1.3.3 マスクエラーファクター（MEF）
　1.4 レジストプロセス
　　1.4.1 反射防止プロセス
　　　1.4.1.1 上層反射防止膜（TARC）
　　　1.4.1.2 下層反射防止膜（BARC）
　　1.4.2 ハードマスクプロセス
　　1.4.3 化学機械研磨（CMP）技術
 
２．ロードマップとリソグラフィ技術
　2.1 IRDS
　　2.1.1 リソグラフィへの要求特性
　　2.1.2 レジスト・微細加工用材料への要求特性
　2.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
　2.3 最先端デバイスの動向
 
3．レジストの基礎
　3.1 溶解阻害型レジスト
　　3.1.1 g線レジスト
　　3.1.2 i線レジスト
　3.2 化学増幅型レジスト
　　3.2.1 KrFレジスト
　　3.2.2 ArFレジスト
　　3.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術
　3.3 ArF液浸レジスト/トップコート
　　3.3.1 ArF液浸リソグラフィの特徴
　　3.3.2 ArF液浸レジスト/トップコートの要求特性
　　3.3.3 ArF液浸レジスト/トップコートの設計指針
 
4．レジスト・微細加工用材料の最新技術
　4.1 ダブルパターニング、マルチパターニング
　　4.1.1 リソーエッチ（LE）プロセス
　　4.1.2 セルフアラインド（SA）プロセス
　4.2 EUVリソグラフィ
　　4.2.1 EUVリソグラフィの特徴
　　　4.2.1.1 露光装置
　　　4.2.1.2 光源
　　　4.2.1.3 マスク
　　　4.2.1.4 プロセス
　　4.2.2 EUVレジストの特徴
　　4.2.3 EUVレジストの要求特性
　　4.2.4 EUVレジストの設計指針
　　　4.2.4.1 EUVレジスト用ポリマー
　　　4.4.4.2 EUVレジスト用酸発生剤
　　4.2.5 EUVレジストの課題と対策
　　　4.2.5.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
　　　4.2.5.2 ランダム欠陥（Stochastic Effects）
　　4.2.6 EUVレジストの動向
　　　4.2.6.1 ネガレジストプロセス
　　　4.2.6.2 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
　　4.2.7 EUVメタルレジスト
　　　4.2.7.1 EUVメタルレジストの特徴
　　　4.2.7.2 EUVメタルレジストの性能
　　　4.2.7.3 EUVメタル増感剤
　　　4.2.7.4 EUVメタルドライレジストプロセス
　4.3 自己組織化（DSA）リソグラフィ
　　4.3.1 グラフォエピタキシー
　　4.3.2 ケミカルエピタキシー
　　4.3.3 高χ（カイ）ブロックコポリマー
　4.4 ナノインプリントリソグラフィ
　　4.4.1 加圧方式
　　4.4.2 光硬化方式
　　　4.4.2.1 光硬化材料
　　　4.4.2.2 離型剤
　　　4.4.2.3 露光装置

5．レジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向

　　□質疑応答□