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半導体、及び、半導体デバイス製造プロセスについて解説!
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■注目ポイント
★半導体材料の構造、CMOS LSIを中心にした半導体デバイスの作製プロセス技術について解説!
セミナー趣旨
半導体の材料、その構造、物理など、基本について理解する。
CMOS LSIを中心にして半導体デバイスの作製プロセス技術について学ぶ。
セミナープログラム
1.半導体とは
1-1.半導体の特長
1-2.半導体の物理
2.半導体材料
2-1.Ge, Si, 化合物半導体
2-2.その他の半導体材料
2-3.Siの特長
3.Si Wafer
3-1.Si Waferの製法(石英からSi Wafer)
3-2.Si WaferからLSIまで
4.半導体デバイス製造プロセス
4-1.デバイス製造プロセスの概要
4-2.フォトリソグラフィ
4-2-1.フォトリソグラフィ工程の流れ
4-2-2.デバイスの発展とフォトリソグラフィ技術
4-2-3.微細化対応
4-2-4.露光光源波長、光学系、露光方式
4-2-5.フォトレジスト
4-2-6.フォトマスク(レクチル)
4-2-7.超解像技術、パターン忠実化技術
4-3.洗浄技術
4-3-1.バッチ式洗浄
4-3-2.枚葉式洗浄
4-4.不純物導入技術
4-4-1.熱拡散
4-4-2.イオン注入
4-4-3.アニール(Anneal)
4-5.成膜技術
4-5-1. 熱酸化技術
4-5-2.CVD技術
4-5-3.スパッタ技術
4-5-4.その他成膜技術
4-6.ドライエッチング技術
4-7.平坦化技術(CMP)
4-8.電気検査
4-8-1.Tr特性評価
4-8-2.信頼性評価
4-8-3.歩留まり評価
【質疑応答】
セミナー講師
サクセスインターナショナル 無所属 / 技術顧問 鈴木 俊治 氏
【経歴】
1968~ Siデバイス・プロセス技術開発(ソニー中央研究所)
1975~ CCD用Si基板の開発、酸化・熱処理技術の開発
1981~ 化合物半導体(GaAs、GaAlAs)デバイス・プロセス開発
1989~ LSIプロセス技術開発 (ソニー超LSI技術研究所
1993~ 超LSI技術の研究開発企画
2001~ ディスプレー技術開発 (PDP製造プロセス技術 LTPS TFT作製技術)
2002 博士号取得
2003~2009 イオン注入装置開発企画/推進(住友重機会イオンテクノロジー㈱)
2010~2013 ㈱サクセスインターナショナル 技術顧問
【専門内容】
半導体物性、CMOS LSI技術、CMOS LSI作製プロセス技術、Si熱酸化技術、Ion注入技術、熱処理技術
【講演実績】
サクセスインターナショナル開催のセミナーで多数回
「若手技術者に向けた半導体製造工程のオーバービュー」於Semicon. Japan 2016~2023まで1回/年
半導体産業人協会の教育委員として多数回
セミナー受講料
・1口(1-2名まで受講可能)60,500円(消費税・資料代込)
お申込み人数はお申し込み人数は、1名でも2名でも金額に変更はありません。
・1口(3名まで受講可能) 90,750円(消費税・資料代込)
※同一法人4名以上は1人あたり30,250円(消費税・資料代込)で金額追加で受講可
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