
半導体配線材料・技術の基礎から最新動向まで
2nmへのCu配線延命技術、代替配線動向、Subtractive Ru技術、BSPDN適用の必要性の高まり、1.4nm以降を目指す技術、2D材料最先端ノードの実際、今後の展望・課題、今後数年必要とされる材料、新規技術とその実現可能性 etc.
■例年好評の最先端配線技術セミナーの待望のアップデート版が登場!
現在、2nm/1.4nm配線技術開発に従事する、IBM Research 野上氏による講演です。
配線プロセスの基礎やこれまでの技術進展の経緯に、ここ2年の最新技術や進展を追加更新してお届けします!
日時
【Live配信】2024年10月31日(木) 13:00~16:30
【アーカイブ配信】視聴期間:11/1~11/8の8日間
受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
セミナー趣旨
また、BSPDN(Back Side Power Distribution Network)適用の必要性が高まり、その技術も改良と革新が進行中である。Cu配線に代わるSubtractive Ru配線開発、更にその先を見据えた2D材料の模索が進行中である。今回は、2022年セミナーの骨子を踏襲しながら、配線技術の基礎から最新の技術進捗に至るまでについて述べる。(※昨年、一昨年のセミナーの概要はページ上部のリンクを参照)
セミナープログラム
1.1 配線に起因して増大する問題 (RC、EM 、パターニング)
1.2 配線プロセスの基礎
2. 配線メタル技術のこれまでの進化
2.1 これまで導入されてきたCu配線延命技術
2.2 最近、更に導入されている新規技術
3.Cu配線技術延命の限界の次の代替配線技術候補
3.1 Subtractive Ru配線技術
4.Cu配線を更に2nmへと延命するための新規技術
4.1 RuCo Liner
4.2 Single Damascene Cu with W (Mo) via
4.3 BSPDN (Backside Power Distribution Network)
5.1.4nm以降を目指した探索的技術
5.1 TMD, Topological Semimetal, Intermetallic Compound, etc.
6. まとめ
□質疑応答□
セミナー講師
Principal Research Staff Member 博士 (工学) 野上 毅 氏
【専門】LSI先端配線技術 2006年からIBM Research, Albanyにて先端配線技術開発に従事。
1994年から1997年、スタンフォード大学(客員研究員)でのCu配線技術の研究以来、
Cu配線技術の研究開発に従事。(株)東芝、川崎製鉄(株)、AMD (Advanced Micro Devices) Inc.、
ソニー(株)を経て現職。
東京大学工学部、学士(1982), 修士(1984), 博士(1994)。現在、2nm/1.4nm配線技術開発に従事。
セミナー受講料
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受講、配布資料などについて
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配布資料
- PDFテキスト(印刷可・編集不可)
受講料
49,500円(税込)/人