シリコンパワー半導体の性能向上・機能付加の最新動向と今後の展望

セミナー趣旨

受講対象・レベル

パワーデバイスを中心として、材料、プロセス、パワーエレクトロニクス応用に関係する方々
予備知識：不要です。材料・プロセス・デバイスとサプライチェーンをまたぐ解説を予定していて、自身の専門のところ以外もご理解いただけるよう注意して講演する予定です。（例：材料の方がパワエレの項目もご理解いただけるように）

習得できる知識

パワー半導体を取り巻く環境について総合的に整理し、シリコンおよび化合物パワー半導体の開発動向、サプライチェーン全体を通してのパワー半導体の動向、将来展望について解説する。特に、限界がうたわれて久しいシリコンパワー半導体について、性能向上、機能向上などを含め、継続的に進化し続けている状況を解説する。

セミナープログラム

１．グリーン社会実現へ向けて 
２．パワーデバイスの開発動向
３．Si-IGBTの性能向上に向けて
　3.1 スケーリングIGBT
　3.2 ウェハおよびプロセス技術
　3.3 ゲートドライブ技術

４．SiおよびWBGパワーデバイスの現状と将来
５．今後の展望            　　                                                  

　□質疑応答□

※以下のNEDOプロジェクトでの取り組みを中心に、紹介させていただきます。
１．経産省/NEDO：低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト（新世代Siパワーデバイス技術開発）2014～2019年度
２．経産省/NEDO：省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業（大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発）2021～2025年度

セミナー講師

九州大学　応用力学研究所　教授　博士(工学)　西澤 伸一　氏 専門：パワー半導体材料、パワーデバイスプロセス、結晶工学
1996～2017　電子技術総合研究祖・産業技術総合研究所にて、SiC及びSiを中心に、パワー半導体材料、デバイス・パワーエレクトロニクスの研究開発に従事。
2017～現在　九州大学にて、Siを中心に、パワー半導体材料、パワーデバイスプロセス、パワーデバイスの研究開発に従事

セミナー受講料

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※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
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※他の割引は併用できません。

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1名申込みの場合：受講料37,400円( E-Mail案内登録価格 35,640円)　
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※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

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アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

配布資料

• PDFテキスト(印刷可・編集不可)