シリコンパワー半導体の性能向上・機能付加の最新動向と今後の展望

Si-IGBTの性能向上とそれを支える材料・プロセス技術大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発動向

☆現状のSiパワー半導体の性能限界を突破し、耐圧・電流密度等で現在のSiCパワーデバイスと同等以上の性能を実現する材料・プロセス技術。☆大口径のシリコンパワー半導体にAI等の機能を付加し、高度な自己制御機能を持たせた大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体。新世代Siパワー半導体の開発動向について、サプライチェーン全体のパワー半導体の動向、SiおよびWBGパワーデバイスの開発動向や将来展望を含めて解説。専門外の項目も理解しやすいように分かりやすく解説します。

日時

【Live配信】2024年12月11日（水）13:00～16:30【アーカイブ配信】について視聴期間：終了翌営業日から7日間［12/12～12/18中］を予定  受講可能な形式：【Live配信（アーカイブ配信付）】のみ 

セミナー講師

九州大学　応用力学研究所　教授　博士(工学)　西澤 伸一　氏 専門：パワー半導体材料、パワーデバイスプロセス、結晶工学1996～2017　電子技術総合研究祖・産業技術総合研究所にて、SiC及びSiを中心に、パワー半導体材料、デバイス・パワーエレクトロニクスの研究開発に従事。2017～現在　九州大学にて、Siを中心に、パワー半導体材料、パワーデバイスプロセス、パワーデバイスの研究開発に従事

セミナー受講料

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 テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】1名申込みの場合：受講料37,400円( E-Mail案内登録価格 35,640円)　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

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配布資料

• PDFテキスト(印刷可・編集不可)

セミナー趣旨

受講対象・レベル

パワーデバイスを中心として、材料、プロセス、パワーエレクトロニクス応用に関係する方々予備知識：不要です。材料・プロセス・デバイスとサプライチェーンをまたぐ解説を予定していて、自身の専門のところ以外もご理解いただけるよう注意して講演する予定です。（例：材料の方がパワエレの項目もご理解いただけるように）

習得できる知識

パワー半導体を取り巻く環境について総合的に整理し、シリコンおよび化合物パワー半導体の開発動向、サプライチェーン全体を通してのパワー半導体の動向、将来展望について解説する。特に、限界がうたわれて久しいシリコンパワー半導体について、性能向上、機能向上などを含め、継続的に進化し続けている状況を解説する。

セミナープログラム

１．グリーン社会実現へ向けて ２．パワーデバイスの開発動向３．Si-IGBTの性能向上に向けて　3.1 スケーリングIGBT　3.2 ウェハおよびプロセス技術　3.3 ゲートドライブ技術４．SiおよびWBGパワーデバイスの現状と将来５．今後の展望            　　                                                  　□質疑応答□※以下のNEDOプロジェクトでの取り組みを中心に、紹介させていただきます。１．経産省/NEDO：低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト（新世代Siパワーデバイス技術開発）2014～2019年度２．経産省/NEDO：省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業（大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発）2021～2025年度