ALD技術／ALE技術の基礎と半導体材料・デバイスへの応用展開
■薄膜形成技術、原子層堆積法、アトミックレイヤーエッチング
★半導体プロセス技術・半導体デバイス技術における堆積・エッチングの原理・材料を基礎から学びます。
日時
【Live配信（アーカイブ配信付き）】 2024年11月18日（月）10:00～16:00
【アーカイブの視聴期間】2024年11月19日(火)～11月25日(月)まで
受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
セミナー趣旨
薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。
本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD（原子層堆積）技術やALE（原子層エッチング）技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積やエッチングの原理や材料について詳しく紹介する。また、ALDについては、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイス、太陽電池に応用した時の特長や課題についても紹介する。
習得できる知識
・薄膜形成・加工の物理・評価技術
・半導体プロセス技術
・半導体デバイス技術
・信頼性評価技術
セミナープログラム
1.1 薄膜作製/加工の基礎
1.2 薄膜の評価手法
1.2.1 電気的評価
1.2.2 化学的分析手法
1.2.3 光学的評価手法
２．ALD技術の基礎
2.1 ALD技術の原理
2.2 ALD薄膜の特長
2.3 ALD技術の歴史
2.4 ALD装置の仕組み
2.5 ALD技術の材料
３．ALD技術の応用
3.1 パワーデバイスへの応用
3.2 酸化物薄膜トランジスへの応用
3.3 MOS LSIへの応用
3.4 太陽電池への応用
４．ALE技術の基礎
4.1 ALEの歴史
4.2 ALEの原理
５．ALE技術の応用事例
5.1 シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
5.2 シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
5.3 Co等金属膜への応用
６．ALD/ALE技術の課題と展望
□質疑応答□
セミナー講師
奈良先端科学技術大学院大学 教授 浦岡 行治 氏
＜略歴＞
1985年 松下電器産業（パナソニック） 半導体研究センター
1994年 松下電器産業（パナソニック）液晶開発センター
1999年 奈良先端科学技術大学院大学 准教授
2009年 奈良先端科学技術大学院大学 教授
2023年 奈良先端科学技術大学院大学 マテリアル研究プラットフォームセンター長
応用物理学会フェロー
セミナー受講料
※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。
55,000円( E-mail案内登録価格52,250円 )
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額27,500円)
【1名分無料適用条件】
※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込みの場合：受講料41,800円（E-Mail案内登録価格 39,820円）
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※他の割引は併用できません。
受講、配布資料などについて
ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
配布資料
- PDFテキスト(印刷可・編集不可)
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