遷移金属ダイカルコゲナイドの活用による高効率な太陽電池の開発に向けた最新技術動向【LIVE配信・WEBセミナー】

遷移金属ダイカルコゲナイドの活用による高効率な太陽電池の開発に向けた最新技術動向について解説!

■本講座の注目ポイント
★半導体材料としての物性制御性、電気伝導率や結合強度などの異方性、二次元シート化による柔軟性といった遷移金属ダイカルコゲナイド特有の性質を活かした太陽電池の性能向上や機能付与について解説!

【項目】※クリックするとその項目に飛ぶことができます

    セミナープログラム

    【第1講】 遷移金属ダイカルコゲナイド層の物性制御と太陽電池への応用
    【時間】 13:00-15:40
    【講師】東京科学大学(旧・東京工業大学)  工学院 / 助教  西村 昂人 氏

    【講演主旨】
    2050年カーボンニュートラルの実現に向けて、クリーンで高効率・高機能な太陽電池の開発は更に重要性が増している。二次元物質である遷移金属ダイカルコゲナイドは、その層状構造に由来するユニークな電気的、機械的、光学的物性など、特徴的な性質のため太陽電池材料の一つとして魅力的である。本講座では、太陽電池の高性能化や高機能化に向けた遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜材料の応用技術について解説する。遷移金属ダイカルコゲナイドの特徴や基礎物性を踏まえた上で、最新データなどを用いて結晶成長法や物性制御法を提示しつつ、量産の実績がある素子から新規の積層構造まで太陽電池における活用法を紹介する。

    【プログラム】
    1.    はじめに
    2.    太陽電池材料としてみる遷移金属ダイカルコゲナイドの各種物性
    3.    太陽電池素子における遷移金属ダイカルコゲナイド膜の結晶成長と物性制御
    4.    遷移金属ダイカルコゲナイド層を有した太陽電池素子の構造設計
       〜量産実績がある太陽電池から新規の素子構造まで〜

    5.    遷移金属ダイカルコゲナイドの高効率・高機能太陽電池への応用例
       ・界面接続を考慮した電荷輸送効率の改善技術
       ・犠牲層として利用する機械的剥離技術
       ・内部ひずみ緩和による半導体結晶成長技術 ほか

    6.    おわりに

    【質疑応答】

    【講演のポイント】
    半導体材料としての物性制御性、電気伝導率や結合強度などの異方性、二次元シート化による柔軟性といった遷移金属ダイカルコゲナイド特有の性質を活かして、どのように太陽電池の性能向上や機能付与に繋げるか解説する。

    【習得できる知識】
    ・遷移金属ダイカルコゲナイドの物性制御法・用途開発
    ・太陽電池における二次元物質の導入方法論
    ・太陽電池の設計指針・開発状況



    【第2講】 遷移金属ダイカルコゲナイド二次元シートの活用による無機ナノチューブの合成技術の開発および構造・物性の基礎
    【時間】 15:50-17:05
    【講師】東京大学 大学院 新領域創成科学研究科 / 准教授 中西 勇介 氏

    【講演主旨】
    層状の遷移金属ダイカルコゲナイドを円筒状に丸めた無機ナノチューブは、カーボンナノチューブと同じく巻き方(カイラリティー)によって多彩な物性・機能を実現し、脱炭素社会に向けて高効率太陽電池や高活性触媒への応用が期待される次世代材料である。しかし、ほとんどの無機ナノチューブは多数の構造が混在した多層体で、電子構造や成長機構は依然として理論予想に留まっている。このような背景のもと、われわれは独自のテンプレートを活用して無機ナノチューブの単層を合成し、電子顕微鏡観察によって構造や物性を解明する研究を進めている。本講演では、これまでわかってきた構造的な特徴や電子物性について紹介する。

    【プログラム】
    ・研究背景(ナノ材料科学の最新動向)
    ・無機ナノチューブとは?
    ・材料の歴史・課題
    ・構造・物性の基礎
    ・従来の合成法
    ・単層合成法(テンプレート合成法)
    ・単層ナノチューブの構造的特徴
    ・単層ナノチューブの電子物性
    ・今後の展望

    【質疑応答】

    【講演のポイント】
    数原子分の厚みしかない薄膜や細線などの低次元ナノ物質を創製し、バルクスケールでは見られない量子物性やエネルギー変換機能の開拓に取り組む。特に、ナノ空間や界面をテンプレートに用いた原子レベルの構造制御を得意とする。

    【習得できる知識】
    ・無機ナノチューブの構造・物性の基礎

    セミナー講師

    第1部  東京科学大学(旧・東京工業大学)  工学院 / 助教  西村 昂人 氏
    第2部  東京大学  大学院 新領域創成科学研究科 / 准教授  中西 勇介 氏

    セミナー受講料

    【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
      2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。


     

    受講料

    49,500円(税込)/人

    ※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

    開催日時


    13:00

    受講料

    49,500円(税込)/人

    ※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

    ※銀行振込

    開催場所

    全国

    主催者

    キーワード

    半導体技術   金属・無機材料技術   地球温暖化対策技術

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    13:00

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    49,500円(税込)/人

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    半導体技術   金属・無機材料技術   地球温暖化対策技術

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