リソグラフィー技術の基礎とフォトレジストの評価方法~研究開発、製造、品質管理に役立つ評価技術~

47,300 円(税込)

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開催日 10:30 ~ 16:30 
主催者 株式会社 情報機構
キーワード 高分子・樹脂材料   半導体技術   分析・環境化学
開催エリア 全国
開催場所 お好きな場所で受講が可能

あまり表に情報が出てこない各種レジスト材料の正しい評価法を丁寧に解説します!

セミナー講師

 リソテックジャパン 株式会社 ナノサイエンス研究所 所長 博士(工学)   関口 淳 氏

セミナー受講料

【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)*1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)*1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

*学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。

受講について

  • 配布資料は、印刷物を郵送で1部送付致します。お申込の際はお受け取り可能な住所をご記入ください。お申込みは4営業日前までを推奨します。それ以降でもお申込みはお受けしておりますが(開催1営業日前の12:00まで)、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。
  • 資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。
  • 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
  • Zoomを使用したオンラインセミナーです→環境の確認についてこちらからご確認ください
  • 申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です→こちらをご確認ください

セミナー趣旨

  フォトレジスト材料の評価方法についてはそれほど多くの著書はありません。それは、フォトレジストの開発は特許性が高く、その評価方法は各社各様であるためです。また標準的な基準は無く、メーカー独自の評価方法が採用されているからです。一般的な評価方法では、樹脂に感光剤を配合し、スピン塗布方法により基板に塗布、ステッパなどの露光機でパターンを露光します。その後、アルカリ現像液で現像し、得られたパターンをSEMで観察する方法が取られています。この方法を直接評価法といいます。直接評価法は材料とその、最終評価項目である現像後のレジスト形状を直接結びつける方法であり、評価方法としては絶対的であると言えます。しかし、評価には高額な露光装置(ステッパ)や走査電子顕微鏡(SEM)を必要とします。これに対し、リソテックジャパン社では、長年にわたりシミュレーションを用いた感光性樹脂の評価方法を提案しています。この方法を直接評価法に対して、間接評価法またはバーチャル・リソグラフィー評価法と呼びます。実際にパターンを転写し、SEM観察するのでは無く、感光性樹脂の現像速度データからシミュレータを用いて現像後のレジストパターン形状を予測し、リソグラフィー特性の評価を行います。この手法は一般的な形状シミュレーションと違い、実際のレジストの光学パラメータや現像速度データを用いることを特徴し、より現実的なシミュレーションと言えるでしょう。  本講座では、バーチャル・リソグラフィ評価方法の解説を中心に、リソグラフィーの基礎から、最新のフォトレジスト材料の評価方法について述べたいと思います。  本講座が、フォトレジストの研究開発、評価、プロセスアプリケーション、製造、品質管理の業務にかかわる多くに人々の手助け、また、研究者のテキストとしてご活用いただければ大変光栄です。

習得できる知識

◎リソグラフィーの基礎知識◎光学の基礎的な原理◎露光装置の開発の変遷の様子◎レジスト材料の開発の変遷◎G線、I線リソグラフィー技術(ノボラックレジスト)の基礎◎ノボラックレジスの基礎知識◎ノボラックレジスとの材料知識◎KrFリソグラフィー技術(PHS系レジスト)の概要◎PHSレジストの基礎知識◎KrFレジストの脱保護反応の概要◎KrFレジストのアウトガス分析法◎ArFリソグラフィー技術(アクリル系レジスト)の概要◎ArFリソグラフィーの基礎知識◎ArFレジストの現像中の膨潤の評価方法◎ArFレジストのPAGから発生する酸の拡散長の評価方法◎ArF液浸リソグラフィー技術の基礎知識◎ArF液浸レジストの液浸液のレジスト膜中への浸透効果◎ArF液浸レジストのPAGから発生する酸のリーチングの評価◎EUVリソグラフィー技術の基礎知識◎EUVレジストの概要◎EUVレジストのアウトガスの評価方法◎EUVレジストの高感度化の手法◎ナノインプリント技術の基礎知識◎DSA技術の基礎知識

セミナープログラム

1.リソグラフィー技術の概要 1.1 リソグラフィー技術の基礎 1.2 光学の基礎的な原理 1.3 露光装置の開発の変遷 1.4 レジスト材料の開発の変遷2.G線、I線リソグラフィー技術(ノボラックレジスト)の概要と評価 2.1 ノボラックレジスの基礎 2.2 ノボラックレジスとの評価(1) 分子量分布の影響 2.3 ノボラックレジスとの評価(2) 分画化レジストとフェノール添加3.KrFリソグラフィー技術(PHS系レジスト)の概要と評価 3.1 KrFリソグラフィーの基礎 3.2 PHSレジストの概要 3.3 KrFレジストの評価(1)脱保護反応の評価 3.4 KrFレジストの評価(2)露光中のアウトガスの評価4.ArFリソグラフィー技術(アクリル系レジスト)の概要と評価 4.1 ArFリソグラフィーの基礎 4.2 アクリル系レジストの概要 4.3 ArFレジストの評価(1)現像中の膨潤の評価 4.4 ArFレジストの評価(2)PAGから発生する酸の拡散長の評価5.ArF液浸リソグラフィー技術の概要と評価 5.1 ArF液浸リソグラフィーの基礎 5.2 ArF液浸レジストの評価(1)液浸液のレジスト膜中への浸透の評価 5.3 ArF液浸レジストの評価(2)PAGから発生する酸のリーチングの評価 5.4 ArF液浸レジストの評価(3)リソグラフィー・シミュレーションによる検討6.EUVリソグラフィー技術の概要と評価 6.1 EUVリソグラフィーの基礎 6.2 EUVレジストの概要 6.3 EUVレジストの評価(1)アウトガスの評価 6.4 EUVレジストの評価(2)EUVレジストの高感度化の検討7.次時世代リソグラフィーの概要 7.1 ナノインプリント技術の概要 7.2 DSA技術の概要8.まとめ<質疑応答>