ＳｉＣパワーデバイスの現状と課題、高温対応実装技術

セミナー趣旨

習得できる知識

・パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。
・Si-IGBTの強み、SiCパワーデバイスの特長と課題。
・パワー半導体デバイスならびにSiC市場予測。
・シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。
・SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナープログラム

セミナー講師

筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸　氏
＜経歴＞
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年　North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009年5月-2013年3月　産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事
2013年4月-　国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員、著書多数

＜主な受賞＞
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞　(2020年12月)
電気学会 第23回 優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞 (2011年)

＜専門＞
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術

セミナー受講料

※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。

49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】
※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

 テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
 1名申込みの場合：受講料37,400円（E-Mail案内登録価格 35,640円）　
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

配布資料

• PDFテキスト(印刷可・編集不可)