量子ドットの基礎から作製、測定評価、デバイス応用まで

セミナー趣旨

  高度情報化・高度知識化の進展によりさらに高速で大容量の情報の伝送・処理が求められ、一方では、膨大なデータ・情報量の伝送・処理にともなうエネルギー消費の増大が深刻な問題となっている。未来社会の持続的発展には、超高度情報化社会を支える超低消費電力で高性能・高機能を有する革新的な量子デバイスおよび高効率のエネルギー変換デバイスの開発が急務である。半導体量子ドットは人工原子とも呼ばれ、その魅力的な性質から様々な次世代の量子ドットデバイスが提案され、試作開発が進められている。しかし、量子ドット構造を精密に制御して作製するには、高度な結晶成長技術の開発が必要であり、その研究開発に約30年もの時間を要している。これからは量子ドットの活用方法をはじめその応用展開を開拓することにより、さらに量子ドットデバイスの社会実装を加速し、拡大することが期待される。
  本セミナーでは、量子ドットの作製（エピタキシャル成長法を中心）、量子ドット構造の測定評価、そして量子ドットのデバイス応用に関する基礎理論の学習および実践的な技術講習の両面から分かりやすく解説する。

受講対象・レベル

電子・光デバイスメーカー、情報通信機器メーカーの研究開発・生産製造に携わる方（初心者から中級者まで）、
大学、高専、研究機関の研究者、学生など。

必要な予備知識

半導体工学、半導体デバイス

習得できる知識

・量子ドットの基礎物性
・量子ドットの結晶成長技術
・量子ドットの構造測定技術
・量子ドットを利用したデバイスの基本原理

セミナープログラム

1．量子ドットの基礎
　1-1 半導体ナノ構造の展開
　1-2 半導体量子ドット構造
2．量子ドットのエピタキシャル成長法
　2-1 半導体エピタキシャル成長技術の進展
　2-2 量子ドットのエピタキシャル成長法の基礎
　2-3 量子ドットのエピタキシャル成長過程
3．量子ドット構造の評価解析法
　3-1 走査型プローブ顕微鏡
　3-2 走査電子顕微鏡
　3-3 反射高速電子線回折
　3-4 透過電子顕微鏡
　3-5 その他の測定解析法
4．エピタキシャル量子ドットの構造制御
　4-1 量子ドットの高均一化
　4-2 量子ドットの発光波長制御
　4-3 量子ドットの高密度化
　4-4 量子ドットの低密度化
　4-5 量子ドットの配列・位置制御
5．エピタキシャル量子ドットのデバイス応用
　5-1 量子ドットレーザへの応用
　5-2 量子ドット広帯域LEDへの応用
　5-3 量子ドット単一光子発生器への応用
　5-4 量子ドット共鳴トンネルダイオードへの応用
　5-5 量子ドット太陽電池への応用
　5-6 その他
6．まとめ、今後の課題と展望

セミナー講師

 国立大学法人 電気通信大学 大学院情報理工学研究科 基盤理工学専攻 教授 博士（工学）　山口 浩一 氏

■ご略歴
電気通信大学にてIII-V族半導体のエピタキシャル成長、選択成長、量子ナノ構造(量子ドット、量子ナノワイヤー、超格子)の
結晶成長、光電子物性、デバイス応用に研究開発に従事。現在、量子未来創生デバイス開発センター センター長（兼務）
■ご専門
半導体工学、半導体デバイス、結晶成長、量子ナノ構造、量子デバイス

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

主催者

開催場所

受講について

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