ダイヤモンド半導体の基礎と応用、最新動向

22,000 円(税込)

※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

※銀行振込

会員ログインして申込む

よくある質問はこちら

このセミナーについて質問する
開催日 13:30 ~ 15:00 
主催者 シーエムシー・リサーチ
キーワード 半導体技術   電子デバイス・部品   炭素系素材
開催エリア 全国
開催場所 お好きな場所で受講が可能

セミナー講師

嘉数 誠 氏  佐賀大学 理工学部 教授

【講師経歴】 1985年 京都大学 工学部 電気工学科 卒業 1987年 京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻 修士課程 修了 1990年 京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻 博士課程 単位取得退学 1990年 日本電信電話㈱ 入社 基礎研究所(現在の物性科学基礎研究所) 2011年 佐賀大学大学院 工学系研究科 電気電子工学専攻 教授(パワーエレクトロニクス講座) 2019年 佐賀大学 海洋エネルギー研究センター 電力制御講座(併任)、現在に至る。

 この間 1992年 京都大学・博士(工学)号取得、 2002年~2003年 独・ウルム大学 電子デバイス回路学科・客員研究員、2007年 パリ大学(第13)工学部 材料工学専攻・招聘 教授、2015年~2018年 宇宙航空研究開発機構(JAXA)宇宙科学研究所 客員教授、2016年~2020年 産業技術総合研究所(AIST)太陽光発電研究センタークロスアポイントメントフェロー

【活動】 ダイヤモンド半導体、酸化ガリウムの研究に従事。現在に至る。 応用物理学会 会員(フェロー)、日本表面科学会 会員(フェロー)、結晶成長学会 会員

セミナー受講料

22,000円(税込)* 資料付*メルマガ登録者 19,800円(税込)*アカデミック価格 13,200円(税込)

★メルマガ会員特典2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。

★ アカデミック価格学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。申込みフォームに所属大学・大学院を記入のうえ、備考欄に「アカデミック価格希望」と記入してください。

受講について

  • 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。 → https://zoom.us/test
  • 当日はリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
  • タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
  • お手元のPC等にカメラ、マイク等がなくてもご視聴いただけます。この場合、音声での質問はできませんが、チャット機能、Q&A機能はご利用いただけます。
  • ただし、セミナー中の質問形式や講師との個別のやり取りは講師の判断によります。ご了承ください。
  • 「Zoom」についてはこちらをご参照ください。

■ お申し込み後の流れ

  • 開催前日までに、ウェビナー事前登録用のメールをお送りいたします。お手数ですがお名前とメールアドレスのご登録をお願いいたします。
  • 事前登録完了後、ウェビナー参加用URLをお送りいたします。
  • セミナー開催日時に、参加用URLよりログインいただき、ご視聴ください。
  • 講師に了解を得た場合には資料をPDFで配布いたしますが、参加者のみのご利用に限定いたします。他の方への転送、WEBへの掲載などは固く禁じます。
  • 資料を冊子で配布する場合は、事前にご登録のご住所に発送いたします。開催日時に間に合わない場合には、後日お送りするなどの方法で対応いたします。

セミナー趣旨

 ダイヤモンドはシリコンの約5倍のバンドギャップをもち、次世代パワー半導体として期待されています。セミナーでは、ダイヤモンド半導体の基礎からデバイスの応用まで、最近の現状について解説します。

受講対象・レベル

 初心者から技術者、管理職の方まで

習得できる知識

 ダイヤモンド半導体の優れた物性、結晶成長の方法、デバイス動作、その現状、将来の課題

セミナープログラム

※ 適宜休憩が入ります。

1. ダイヤモンド半導体の優れた特性(Siなどの従来の半導体との比較) 1.1 バンドギャップ 1.2 高周波性能 1.3 高熱伝導度 1.4 出力電力・出力電圧特性  2. ダイヤモンドの結晶成長技術 2.1 CVD成長 2.2 ヘテロエピタキシャル成長法  3. ダイヤモンドパワー半導体デバイス開発の現状 3.1 不純物ドーピング技術 3.2 MOSFETの作製法 3.3 デバイスの性能評価法と結果  4. ダイヤモンド半導体パワー回路開発 4.1 高速スイッチング動作 4.2 長時間連続特性  5. 今後の展開