リソグラフィ技術の基礎およびEUVリソグラフィ・レジスト周辺技術と展望

49,500 円(税込)

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開催日 13:00 ~ 16:30 
主催者 サイエンス&テクノロジー株式会社
キーワード 半導体技術   光学技術   高分子・樹脂材料
開催エリア 全国
開催場所 Zoomを利用したオンライン講座

~ 半導体プロセス技術、半導体デバイス技術、リソグラフィ技術 ~

●微細加工の基礎、フォトリソグラフィ技術の原理、フォトリソグラフィ技術の材料、EUVリソグラフィ技術の応用事例について分かりやすく丁寧に解説して行きます。

 

日時

【Live配信(アーカイブ配信付き)】2025年1月31日(金)  13:00~16:30 【アーカイブの視聴期間】2025年2月1日(土)~2月7日(金)まで  受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ  ※アーカイブ配信のみの受講もOKです。 

セミナー講師

東京大学 大学院新領域創成科学研究科・特任助教 藤原 弘和 氏<経歴>1991年、岡山県生まれ。2019年に岡山大学にて博士号(理学)を取得。同年、東芝メモリ株式会社(現 キオクシア株式会社)入社。同社メモリ技術研究所デバイス技術研究開発センター配属。2021年より東京大学物性研究所附属極限コヒーレント光科学研究センター特任研究員を経て、2024年より同大学大学院新領域創成科学研究科特任助教に着任。光電子分光・顕微鏡を活用した半導体デバイスおよび材料開発を専門とし、産学連携による先端分析技術の社会実装にも取り組む。

セミナー受講料

※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。

49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。

 テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合:受講料39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)  定価:本体36,000円+税3,600円 E-Mail案内登録価格:本体34,400円+税3,440円※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。

受講について

ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認(申込み前に必ずご確認ください)

配布資料

  • PDFテキスト(印刷可・編集不可)

セミナー趣旨

フォトリソグラフィ技術の進化は、半導体集積回路の集積度向上を支えてきました。最先端の極端紫外線(EUV)リソグラフィによって20 nm以下の線幅まで解像可能となり、微細化による半導体製品の高性能化のトレンドは継続するとみられます。しかし、EUVリソグラフィには特有の課題があり、レジスト材料等の最適化が進められています。本講演では、微細加工技術の基礎から始まり、フォトリソグラフィ技術の原理や特長、さらに最新のEUVリソグラフィ技術について、光と物質の相互作用に基づいて詳しく解説します。EUVリソグラフィの装置やレジスト、フォトマスクなどの要素技術から応用事例までを網羅し、最後にフォトリソグラフィ技術の課題と今後の展望について紹介します。これにより、微細加工分野における最先端技術の理解を深めていただくことを目的としています。

習得できる知識

・リソグラフィの物理・評価技術・半導体プロセス技術・半導体デバイス技術

セミナープログラム

1.微細加工技術   1.1 微細加工の基礎 1.2 微細加工パターンの評価手法  1.2.1 光学顕微鏡  1.2.2 電子顕微鏡  1.2.3 プローブ顕微鏡2.フォトリソグラフィの基礎   2.1 フォトリソグラフィ技術の原理 2.2 フォトリソグラフィの特長 2.3 フォトリソグラフィの歴史 2.4 フォトリソグラフィ技術の材料3.EUVリソグラフィ技術の基礎 3.1 EUVリソグラフィ装置 3.2 EUV露光の物理 3.3 EUVレジスト  3.3.1 化学増幅型レジスト  3.3.2 非化学増幅型レジスト  3.3.3 メタルレジスト  3.3.4 その他のレジスト 3.4 レジスト周辺材料 3.5 EUVフォトマスク  3.5.1 EUVマスクブランクス  3.5.2 EUVペリクル4.EUVリソグラフィ技術の応用事例 4.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの 4.2  銀または銅焼結接合技術 4.3  SiC-MOSFETモジュール技術5.フォトリソグラフィ技術の課題と展望 □質疑応答□