パワーデバイスの基礎ならびにSiCデバイス・実装の最新技術動向

セミナー趣旨

  2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展しており、xEVはもはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、SiCをはじめとした新材料デバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、シリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強のライバルであるシリコンIGBTからSiC開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。また、またGaNや酸化ガリウムデバイスの現状についても紹介する

受講対象・レベル

パワーデバイス、パワーエレクトロニクスに興味のある方

必要な予備知識

教養程度の工学の知識があれば十分です。

習得できる知識

・パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向
・パワーデバイス市場。シリコンパワーデバイスの強み
・SiC パワーデバイスの特長と課題。SiCデバイス実装技術
・SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、GaN/酸化ガリウムパワーデバイスの動向、など

セミナープログラム

1．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは？
　　　1-1  パワエレ＆パワーデバイスの仕事
　　　1-2  パワー半導体の種類と基本構造
　　　1-3  パワーデバイスの適用分野
　　　1-4  パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？
　　　1-5  MOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
　　　1-6  パワーデバイス開発のポイントは何か？
2．最新シリコンMOSFET, IGBTの進展と課題
　　　2-1  パワーデバイス市場の現在と将来
　　　2-2  パワーデバイス開発のポイント
　　　2-3  最新MOSFET、IGBTを支える技術
　　　2-4  IGBT 薄ウェハ化の限界
　　　2-5  IGBT特性改善の次の三手
　　　2-6  新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生
　　　2-7  シリコンIGBTの実装技術
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
　　　3-1  半導体デバイス材料の変遷
　　　3-2  なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスの中でトップなのか
　　　3-3  SiCのSiに対する利点
　　　3-4  各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか？
　　　3-5  SiCウェハができるまで
　　　3-6  SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
　　　3-7  SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき4つの課題
　　　3-8  SiC-MOSFET最近のトピックス
　　　3-9  SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）
　　　3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
　　　3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　　　3-12 最新SiC MOSFET技術
4．GaNパワーデバイスの現状と課題
　　　4-1  なぜGaNパワーデバイスなのか？
　　　4-2  GaNデバイスの構造
　　　4-3  SiCとGaNデバイスの狙う市場
　　　4-4  GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　　　4-5  ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　　　4-6  GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　　　4-7  GaN-HEMTの課題
5．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
　　　5-1  酸化ガリウムとその特徴
　　　5-2  酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
6．SiCパワーデバイス高温対応実装技術
　　　6-1  高温動作ができると何がいいのか
　　　6-2  SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　　　6-3  パワーモジュール動作中の素子破壊例
　　　6-4  SiCモジュールに必要な実装技術
7．まとめ

セミナー講師

 国立大学法人 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士（工学）　岩室 憲幸 氏

■ご略歴
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar．MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年～2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月～2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月～　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。
【ご専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計技術
【本テーマ関連学協会でのご活動】
IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会　シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会　元委員長
電気学会上級会員、応用物理学会会員
パワー半導体国際シンポジウム（ＩSPSD） 2017, 2021　Steering Committee Member.
＜著書＞　　
1. 「パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス」　（科学情報出版、2024年2月）
2. 「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」　（科学情報出版、2019年9月）
3．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapter 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018)
4. “Handbook of Semiconductor Devices”, Editor Rudan, M., Brunetti, R., Reggiani, S. Chapter 13 担当・執筆
   （Springer, Nov. 2022）
＜監修書＞
5. 「パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術」、R&D支援センタ, 2024年11月
6. 「次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術」、S＆T出版、2022年7月
7. 「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（シーエムシー出版、2021年8月）　
8. 「SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント」（S&T出版　2018年1月）、
9．「次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開」（シーエムシー出版、2015年6月）　　　　
＜編集書＞
10.「世界を動かすパワー半導体－IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ）があります。
【トピックス】
2020年4月　電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞
2020年12月　日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞を受賞
（内容：SBD内蔵SiC MOSFET　金属変更で実用化に道筋）
https://www.tsukuba.ac.jp/journal/awards/20201210132702.html

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです
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• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です
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