半導体デバイス製造に用いられる接合技術の基礎と異種材料集積化に向けた常温・低温接合技術の最新動向

セミナー趣旨

半導体デバイスは、これまでのスケーリング則（Mooreの法則）にのっとった微細化の追求（More Moore）に加えて、従来のCMOSデバイスが持ち得なかった、アナログ／RF、受動素子、高電圧パワーデバイス、センサ／アクチュエータ、バイオチップなどの新機能を付加し、デバイスの多機能化、異機能融合の方向に進化する新たな開発軸（More than Moore）を追求するようになってきています。将来の半導体デバイスは、「More Moore」と「More than Moore」を車の両輪のように組み合わせて実現する高付加価値システムへと向かっており、まさに異種材料・異種機能を集積するヘテロジニアス集積(Heterogeneous Integration)技術が、将来の継続的な半導体産業成長の鍵として注目を集めています。このような背景のなか、近年，小型，低消費電力，高放熱，高出力などの優れた特性を有する高性能・高機能エレクトロニクスデバイスの実現に，“接合技術”が重要な役割を果たすと期待され，注目を集めています。特に，将来の半導体デバイスに向けて，残留応力や熱ダメージの低減という特徴を持つ常温・低温接合技術がキーテクノロジーとなっています。
本講座では、半導体デバイス製造に用いられるさまざまな接合技術について、その原理と特徴を概説し、特に、ヘテロジニアス集積を実現する重要な要素技術である常温・低温接合技術に焦点を当て、これらの技術の基礎と具体的なデバイスを例に開発動向及び今後の開発動向を詳細に説明いたします。

習得できる知識

・半導体デバイス製造に用いられるさまざまな接合技術の基礎（接合原理や評価技術）
・常温・低温接合技術の基礎知識の習得
・常温・低温接合技術の最新動向
・成功事例から学ぶ接合技術の応用に関する情報の収集
・今後の接合技術の課題と展望

セミナープログラム

１．はじめに
　1.1 パッケージング分野から見た半導体を取り巻く状況

２．半導体デバイス製造に用いられる接合技術の基礎
　2.1 直接接合（陽極接合、フュージョンボンディング、プラズマ活性化接合、表面活性化接合）
　2.2 中間層を介した接合（はんだ／共晶接合、TLP接合、ナノ粒子焼結、熱圧着接合、超音波接合、原子拡散接合、表面活性化接合、有機接着剤、フリットガラス接合、ハイブリッド接合）

３．常温・低温接合プロセスの基礎
　3.1 表面活性化接合による半導体の直接接合
　　3.1.1 Ge/Ge接合
　　3.1.2 GaAs/Ge
　3.2 Auを介した大気中での表面活性化接合
　　3.2.1 ウェハ接合
　　3.2.2 チップ接合
　3.3 ポリシラザンを介した常温接合

４．接合により実現される機能の具体例
　4.1 真空封止
　4.2 高放熱構造
　4.3 急峻な不純物濃度勾配
　4.4 マルチチップ接合
　4.5 ハイブリッド接合による3D集積化

５．今後の開発動向と産業化の可能性
　5.1 平滑面の形成技術

６．おわりに

【質疑応答】

セミナー講師

東北大学　大学院工学研究科　電子工学専攻　教授　博士(工学)　日暮 栄治 氏

セミナー受講料

  1名につき49，500円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき44，000円（税込）〕

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