パワーデバイスの基本動作から最新開発動向、課題と展望

セミナー趣旨

　パワーデバイスとはどのようなものであり、その現在の状況と将来トレンドまでを包括的に理解できる事を主眼とし、様々な半導体素子におけるパワーデバイスの位置づけ、パワーデバイスに必要とされる機能とそれに対応した基本的動作、歴史的発展の経緯、現在主力のパワーデバイスと次世代として開発が加速されているパワーデバイスについての構造･特性･特徴、これらパワーデバイスが使われている電子機器市場、そしてこの電子機器市場の発展に伴って大きく変化しているパワーデバイス業界の状況を順に説明します。

　内容は固体物理レベルから回路動作、そして市場動向等の一般解説まで広く網羅していますので、聴講される方それぞれの専門領域に応じて新たな知見が得られるとともに、半導体業界の中で独自の発展を続けるパワーデバイスに関する全体像も理解する事ができます。

受講対象・レベル

・パワーデバイスの研究･開発･営業等に携わっている若手～中堅の方。
・パワーデバイスの技術・事業･業界動向に興味のお持ちの方。

必要な予備知識

特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

習得できる知識

・パワーデバイスの構造、動作、発展の歴史と最新技術動向を習得できる。
・脱炭素に向けた電化・電動化トレンドの中でパワーデバイスの果たす役割の重要性が理解できる。
・パワーデバイスの進化とそれに対応した市場の関係が理解できる。

セミナープログラム

１．モビリティ･インフラの電化・電動化

２．パワーデバイス　–電化・電動化のキーデバイス–
　2-1.用途
　2-2.基本的動作
　2-3.開発の歴史

３．パワー半導体の種類
　3-1.用途との対応
　3-2.基本動作による分類
　3-3.過去の主力パワー半導体

４．現在の主力パワー半導体
　4-1.パワーMOSFET
　4-2.IGBT

５．WBG系パワーデバイス
　5-1.SiCデバイス
　5-2.GaNデバイス
　5-3.Ga2O3デバイス（※2と3は下付き文字）
　5-4.Diamondデバイス

６．性能比較
　6-1.オン抵抗
　6-2.総合性能

７．パワーデバイスの製品形態と市場

８．パワーデバイス業界最新動向

キーワード
　パワーデバイス,SiC,GaN,Diamond,MOSFET,IGBT,講習会

セミナー講師

九州大学
大学院 システム情報科学研究院
教授　寺島 知秀氏

　1987年大阪大学基礎工学部物性物理工学科卒業。2017年に同大学にて応用物理で博士(工学)を取得。1987年に三菱電機に入社後2012年までパワーMOSFET、高耐圧ICプロセス、BiCMOS&DMOSプロセス、IGBT、パワーDiode開発に従事。

　BiCMOS&DMOSプロセスと高耐圧ICではそれぞれ三菱電機としての第一世代の製品化を担当し、高耐圧ICでは現在世界的に広く使われている耐圧保持構造を発案。2013年から2015年まで先端技術総合研究所にてSiCデバイスと次世代パッケージの研究管理業務に携わった後、パワーデバイス製作所にてパワーデバイスと高耐圧ICの技術開発に関する統括業務を担当。2024年から九州大学大学院システム情報科学研究院 教授。　

　パワーデバイスとICプロセス・デバイス領域で84件の米国特許と61件の日本特許を取得。IEEE-ESD会員、電気学会上級会員。

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ 会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
・1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

※LIVE配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合
　会員価格で1名につき49,500円（税込）、2名同時申込で60,500円（税込）になります。
　備考欄に「LIVEとアーカイブ両方視聴」と明記してください。

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