パワーデバイスの基礎ならびにSiC/GaNデバイス・実装の最新技術動向

SiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含めわかりやすく丁寧に解説します!また、酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状についてもご紹介します。

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    セミナー趣旨

      2023年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強のライバルであるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

    受講対象・レベル

    パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

    必要な予備知識

    教養程度の工学の知識があれば十分です。

    習得できる知識

    ・パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向。パワーデバイス市場。シリコンIGBTの強み。
    ・SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

    セミナープログラム

    1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とは?
      1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
      1-2 パワー半導体の種類と基本構造
      1-3 パワーデバイスの適用分野
      1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか?
      1-5 MOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
      1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か?
    2.最新シリコンMOSFET、IGBTの進展と課題
      2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
      2-2 パワーデバイス開発のポイント
      2-3 最新MOSFET, IGBTを支える技術
      2-4 IGBT 薄ウェハ化の限界
      2-5 IGBT特性改善の次の三手
      2-6 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の誕生
      2-7 シリコンIGBTの実装技術
    3.SiCパワーデバイスの現状と課題
      3-1 半導体デバイス材料の変遷
      3-2 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスの中でトップなのか
      3-3 SiCのSiに対する利点
      3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか?
      3-5 SiCウェハができるまで
      3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
      3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき4つの課題
      3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス
      3-9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
      3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
      3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
      3-12 最新SiC MOSFET技術  
    4.GaNパワーデバイスの現状と課題
      4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
      4-2 GaNデバイスの構造
      4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
      4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
      4-5 ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
      4-6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
      4-7 GaN-HEMTの課題
      4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
      4-9 縦型GaNデバイスの最新動向
      4-10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?
    5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
      5-1 酸化ガリウムとその特徴
      5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
      5-3 ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
    6.SiCパワーデバイス高温対応実装技術
      6-1 高温動作ができると何がいいのか
      6-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
      6-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
      6-4 SiCモジュールに必要な実装技術
    7.まとめ

    セミナー講師

     国立大学法人 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学) 岩室 憲幸 先生

    ■ご略歴
    1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
    富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、
    IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
    1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事.
    1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
    2009 年5月~2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
    2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
    ■ご専門
    シリコン、SiCパワー半導体設計技術
    ■本テーマ関連学協会でのご活動
    IEEE Senior Member
    IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
    電気学会 シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会 元委員長
    電気学会上級会員、応用物理学会会員
    パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2017, 2021 Steering Committee Member.

    セミナー受講料

    【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
    *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

    【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
    *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

    *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。

    受講について

    • 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
      (開催1週前~前日までには送付致します)
      ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
      (土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)
    • 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
    • Zoomを使用したオンラインセミナーです
      →環境の確認についてこちらからご確認ください
    • 申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です
      →こちらをご確認ください

     

    受講料

    47,300円(税込)/人

    ※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

    開催日時


    10:30

    受講料

    47,300円(税込)/人

    ※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

    ※銀行振込、コンビニ払い

    開催場所

    全国

    主催者

    キーワード

    電子デバイス・部品   半導体技術   無機材料

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    電子デバイス・部品   半導体技術   無機材料

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