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~装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、応用プロセス、研磨メカニズム~
■装置、スラリー技術、パッド技術とその材料・開発・プロセス評価■
■デバイス応用事例、様々な基板研磨技術■
■CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル■
CMP及び周辺の技術・材料・装置に携わる方々はぜひ!
・CMP工程の各種メカニズムの解明とスラリー、パッド、コンディショナー、消耗材の開発・評価のヒントを提示
・研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立を目指して
・最新配線構造、最新のトランジスタ構造、3DNAND、ウエハ接合、各種基板へのCMP応用技術
・材料の研磨と除去、構造形成するための加工技術としての技術を解説
・半導体等のデバイス製造において、今やなくてはならないキープロセスの基礎と全貌
日時
【ライブ配信】 2024年6月28日(金) 10:30~16:30
【アーカイブ配信】 2024年7月12日(金) まで受付(視聴期間:7/12~7/26)
受講可能な形式:【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ
セミナー趣旨
習得できる知識
○CMPに関わるあらゆる基礎知識~
・装置技術、スラリー技術、パッド技術、コンディショナー技術
・材料・プロセス評価技術
・デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
○CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル
セミナープログラム
1.1 CMP装置の構成
1.2 ヘッド構造
1.3 終点検出技術
1.4 APC
1.5 洗浄
2.CMPによる平坦化
2.1 CMPによる平坦化工程の分類
2.2 平坦化メカニズム
3.CMP消耗材料
3.1 各種スラリーの基礎
3.2 砥粒の変遷
3.3 添加剤の役割
3.4 スラリーの評価方法
3.5 研磨パッドの基礎
3.6 研磨パッドの評価方法
3.7 コンディショナーの役割
4.CMPの応用
4.1 最新配線構造とCMPの詳細
4.2 最新のトランジスタ構造とCMP
4.3 3DNANDにおけるCMP
4.4 ウエハ接合技術とCMP
4.5 各種基板CMP
5.CMPの材料除去メカニズム
5.1 研磨メカニズムモデルの歴史
5.2 新しいモデル~Feret径モデル
5.3 Feret径モデルの数値検証
5.4 Feret径モデルに基づく開発のヒント
5.5 研磨対象別材料除去メカニズム
まとめ
□質疑応答
セミナー講師
略歴
1984年-2002年 NECにてLSI多層配線プロセス開発
2002年-2006年 東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
2006年-2013年 ニッタハースにて研究開発GM
2013年-2015年 (株)ディスコにて新規事業開発
2015- (株)ISTL
活動
プラナリゼーション研究会幹事
所属学会
精密工学会、応用物理学会、Electro Chemical Society
セミナー受講料
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講師のプロフィール
半導体のことなら前工程から後工程まで幅広い知識を有しております。中でもCMPは専門領域です。社内セミナーから開発支援、技術指導まで様々な対応をいたします。
礒部 晶
いそべ あきら / 神奈川県 / 株式会社ISTL
半導体に関してはデバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーを経験しています。装置・材料開発から、デバイス製造現場の改善、幅広い人脈を活かした顧客紹介など様々なご支援が出来ます。中小企業診断士も有しており、単なる技術指導のみなら...続きを読む
受講料
55,000円(税込)/人
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