シリコン・パワー半導体CMP技術の基礎と各種研究開発事例および将来展望

セミナー趣旨

セミナーでは最初にシリコン・パワー半導体CMPの基礎から現状の課題など幅広い観点で解説する。セミナーの前半部分では、最初にシリコン半導体を中心に企業などで経験した内容を開示可能な範囲で解説する。ここではCMPのプロセス設計の概要のほかにスラリー部材などの調合方法や低屈折率透明パッドによる微粒子計測や残膜測定法などの研究事例を取り上げる。後半部分はパワー半導体を中心にコローダルシリカのみ形成されるハイブリッドスラリーによる高効率研磨技術や水酸化フラーレンの開発事例について述べる。最後に半導体におけるCMPの将来展望について解説する。

★CMPとは、ウエハ表面材料に応じた薬品を使って化学反応により溶かしながら、スラリーと呼ばれる砥粒により、ウエハをパッドに押し当てた状態で機械的に削るプロセス技術であります。
★近年の半導体デバイスは3次元化が進み形状が複雑化しており、3次元構造は「成膜とCMP」を繰り返すことで形成されるため、半導体製造においてCMPは非常に重要な工程となります。

【講演のポイント】
CMPの技術紹介においては、これまでの講演者の企業や国家プロジェクトにおける経験談も交えて紹介する。特に半導体系の国際会議で話題となっている先端ロジックやメモリーにおけるCMPに関する内容や、パワー半導体における研磨技術の現状と課題について紹介する。また、大学で行われてきた最近の研究事例についても紹介する。

【キーワード】
半導体プロセス、微細化の原動力となるCMP

習得できる知識

半導体CMP技術における基礎的な内容と研究事例

セミナープログラム

1.CMP技術の基礎
　1.1 なぜ、CMPが導入されたか？
　1.2 導入時における技術的課題
　1.3 研磨装置の概要
　1.4 実験動画の紹介（２分程度）
　1.5 CMPの適用例
　1.6 研磨性能評価について
　1.7 ディッシング・エロージョンについて
　1.8 酸化膜CMPの平坦化プロセスへの適用例
　1.9 STI-CMPへの適用例
　1.10 Cu―CMPへの適用例

2.パワー半導体とシリコン半導体の違い
　2.1 研磨レートの大幅な違い
　2.2 材料除去メカニズムの考案
　2.3 研磨部材について

3.シリコン半導体に関する研究事例
　3.1 低屈折立透明パッドの作製法
　3.2 低屈折立透明パッドによる酸化膜残膜測定法など

4.パワー半導体に関する研究事例
　4.1 ハワー半導体の研究動向
　4.2 ハイブリッド微粒子による高速研磨
　4.3 水酸化フラーレンによるサファイア・SiC研磨の表面の平滑化

5.CMPの将来展望について

【質疑応答】

セミナー講師

九州工業大学　 大学院情報工学研究院 知的システム工学研究系 / 教授　 鈴木　恵友　氏

セミナー受講料

【1名の場合】45,100円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。