ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎とプロセス最適化および最新技術動向

１．薄膜作製プロセス概論
　1.1 薄膜の種類と用途
　1.2 薄膜ドライプロセスとウェットプロセス
　1.3 PVD（Physical Vapor Deposition）とCVD（Chemical Vapor Deposition）
　1.4 半導体集積回路（ULSI）の微細化とALDプロセスの採用

２．ALDプロセスの概要と特徴
　2.1 ALD（Atomic Layer Deposition）プロセスの概要と理想的プロセス特性
　2.2 ALDプロセスの歴史的発展
　2.3 ALDプロセスの応用事例
　　2.3.1 最先端ULSIデバイスでのALD活用事例
　　2.3.2 DRAMでのALD活用事例
　　2.3.3 3D-NANDフラッシュメモリでの活用事例
　　2.3.4 その他の応用事例
　2.4 ALD装置
　2.5 ALD原料ガス
　2.6 ALE（Atomic Layer Etching）の原理とプロセス特性
　2.7 AS（Area Selective）-ALD（選択成長）の原理と活用

３．薄膜作製プロセスの基礎
　3.1 真空の基礎
　3.2 真空蒸着・イオンプレーティング
　3.3 スパッタリング
　3.4 CVD
　3.5 ALD
　3.6 薄膜作製プロセスの比較

４．CVD・ALDプロセスの速度論
　4.1 CVDプロセスの速度論
　　4.1.1 製膜速度の濃度依存性
　　4.1.2 製膜速度の温度依存性
　　4.1.3 気相反応の影響
　　4.1.4 CVDプロセスの段差被覆性（ステップカバレッジ）
　4.2 ALDプロセスの速度論
　　4.2.1 原料ガス吸着・パージ
　　4.2.2 反応ガス供給・パージ
　　4.2.3 ALDプロセスの段差被覆性（ステップカバレッジ）
　4.3 ALD Window
　　4.3.1 ALD Windowとは？
　　4.3.2 物理吸着の影響と対策
　　4.3.3 反応律速の影響と対策
　　4.3.4 原料ガス熱分解の影響と対策
　　4.3.5 原料ガス脱離の影響と対策
　4.4 CVD・ALDプロセスの最適化
　　4.4.1 バッチ式CVD反応器の量産性と均一性
　　4.4.2 ALDプロセス高スループット化
　4.5 CVDとALDの比較，使い分け

５．QCMを利用したALDその場観察
　5.1 QCM（Quartz Crystal Microbalance）の基礎
　5.2 QCMその場観察の実際

６．ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長
　6.1 初期核発生とインキュベーションサイクル
　6.2 選択成長（Area Selective（AS）ALD）
　6.3 ALD複合プロセス（ALD＋ALE）

７．ALDプロセス関連技術
　7.1 新規原料ガスの評価（蒸気圧，熱分析）
　7.2 原料ガスの供給方法
　7.3 量子化学計算の活用
　7.4 AI機械学習の活用

８．ALD関連国際学会の最新情報
　8.1 ASD2024（2024年4月）
　8.2 ALD/ALE2024（2024年8月）

　　□質疑応答・名刺交換□