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■今、ホットで注目のALDを基礎から学びます。高品質化・最適化へ■
★霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く解説いたします。
セミナー会場でここだけの話。をたくさん聞いてください!
★CVD/ALDプロセスの速度論からALDプロセス最適化へ。
ALDプロセス周辺技術も徹底解説します。
受講可能な形式:【会場受講】のみ※オンラインセミナーはありません。
※9/26から9/27に変更になりました
セミナー趣旨
しかし、そのプロセスは原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定はかなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。本講座では、まずALDの基礎知識を養い、プロセスの最適化の指針を理解することを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
習得できる知識
ALDプロセスの基本的な特徴と応用範囲の基本を習得できます。また、各種のALDプロセスの応用事例や、最先端半導体デバイスへの応用など最新の研究開発動向について学びます。その他に、原料ガスや反応ガス選択の指針や、その場観察手法として利用されているQCM(Quartz Crystal Microbalance)などの解析手法についても学習できます。
セミナープログラム
1.薄膜作製プロセス概論
1.1 薄膜の種類と用途
1.2 薄膜ドライプロセスとウェットプロセス
1.3 PVD(Physical Vapor Deposition)とCVD(Chemical Vapor Deposition)
1.4 半導体集積回路(ULSI)の微細化とALDプロセスの採用
2.ALDプロセスの概要と特徴
2.1 ALD(Atomic Layer Deposition)プロセスの概要と理想的プロセス特性
2.2 ALDプロセスの歴史的発展
2.3 ALDプロセスの応用事例
2.3.1 最先端ULSIデバイスでのALD活用事例
2.3.2 DRAMでのALD活用事例
2.3.3 3D-NANDフラッシュメモリでの活用事例
2.3.4 その他の応用事例
2.4 ALD装置
2.5 ALD原料ガス
2.6 ALE(Atomic Layer Etching)の原理とプロセス特性
2.7 AS(Area Selective)-ALD(選択成長)の原理と活用
3.薄膜作製プロセスの基礎
3.1 真空の基礎
3.2 真空蒸着・イオンプレーティング
3.3 スパッタリング
3.4 CVD
3.5 ALD
3.6 薄膜作製プロセスの比較
4.CVD・ALDプロセスの速度論
4.1 CVDプロセスの速度論
4.1.1 製膜速度の濃度依存性
4.1.2 製膜速度の温度依存性
4.1.3 気相反応の影響
4.1.4 CVDプロセスの段差被覆性(ステップカバレッジ)
4.2 ALDプロセスの速度論
4.2.1 原料ガス吸着・パージ
4.2.2 反応ガス供給・パージ
4.2.3 ALDプロセスの段差被覆性(ステップカバレッジ)
4.3 ALD Window
4.3.1 ALD Windowとは?
4.3.2 物理吸着の影響と対策
4.3.3 反応律速の影響と対策
4.3.4 原料ガス熱分解の影響と対策
4.3.5 原料ガス脱離の影響と対策
4.4 CVD・ALDプロセスの最適化
4.4.1 バッチ式CVD反応器の量産性と均一性
4.4.2 ALDプロセス高スループット化
4.5 CVDとALDの比較,使い分け
5.QCMを利用したALDその場観察
5.1 QCM(Quartz Crystal Microbalance)の基礎
5.2 QCMその場観察の実際
6.ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長
6.1 初期核発生とインキュベーションサイクル
6.2 選択成長(Area Selective(AS)ALD)
6.3 ALD複合プロセス(ALD+ALE)
7.ALDプロセス関連技術
7.1 新規原料ガスの評価(蒸気圧,熱分析)
7.2 原料ガスの供給方法
7.3 量子化学計算の活用
7.4 AI機械学習の活用
8.ALD関連国際学会の最新情報
8.1 ASD2024(2024年4月)
8.2 ALD/ALE2024(2024年8月)
□質疑応答・名刺交換□
セミナー講師
東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 霜垣 幸浩 氏
【略歴】
1989年 東京大学 工学部 化学工学科 助手
1991年 東京大学 工学部 化学工学科 講師
1997年 東京大学 大学院 化学システム工学専攻 助教授
1998年 東京大学 大学院 金属工学専攻 助教授
2001年 東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 助教授 (改組)
2011年 東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 教授
1984年から現在に至るまで,CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
2007年より,化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会代表として,CVD関連技術の普及・発展に寄与
2014年開催 ALD国際学会 実行委員長
【専門】 反応工学・材料工学
【主な研究内容】
・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発
・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発
・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発
・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発
・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発
【活動】
・1984年から現在に至るまで,CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
・2007年より,化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として,CVD関連技術の普及・発展に寄与
・2014年開催ALD国際学会実行委員長
セミナー受講料
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※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
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配布資料
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※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です
開催日時
10:30 ~
受講料
55,000円(税込)/人
※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます
※銀行振込 または、当日現金でのお支払い
開催場所
東京都
【千代田区】連合会館
【地下鉄】小川町駅・淡路町駅・新御茶ノ水駅 【JR】御茶ノ水駅
主催者
キーワード
半導体技術 電子デバイス・部品 薄膜、表面、界面技術
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