SiCウェハ製造における加工・平坦化技術の動向
EVを含むパワーエレクトロニクスにおいて採用拡大が見込まれるSiCデバイス。
そのウェハ製造の加工技術（切断、研削、研磨等の平坦化）と表面の構造・形態制御などを中心に詳解！
セミナープログラム
1. パワー半導体用SiCウェハの製造・加工技術
産業技術総合研究所 加藤 智久 氏
本セミナーでは、今後の自動車のxEV化に必須とされるSiCパワー半導体の製造に欠かせないウェハ材料技術に
焦点を当て、現状のマーケティングとそれらを支える技術開発の動向から、現在のウェハ加工工程における課題、
技術的解決策などについて議論する。特に、ウェハサイズが８インチと大口径化が進む中、アメリカ、中国が
産業化を拡大する動向に対し、国内のウェハ加工技術の国際競争力の確保は今後、最も重視される。SiCインゴットの
切断から研削・研磨、CMPまで、今後のウェハ加工工程の技術開発における戦略を考える機会としたい。
2. SiC半導体表面の構造・形態制御
早稲田大学 乗松 航 氏
本セミナーでは、SiC半導体の表面構造と表面形態制御について、以下の順に解説します。
はじめに、SiCの結晶構造に基づいた表面形態の特徴について紹介し、特に表面のステップおよびテラスについて
詳しく解説します。その後、一般的なSiC表面形態の制御方法とそれぞれの特徴について述べ、ステップバンチング
現象とそのメカニズムを解説します。最後に、SiC表面への結晶成長や、近年見出されたステップアンバンチング
現象について紹介します。
1. 半導体の結晶構造と表面形態
2. 半導体表面形態制御方法
3. SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
4. SiC表面のステップアンバンチング現象
セミナー講師
「パワー半導体用SiCウェハの製造・加工技術」
国立研究開発法人 産業技術総合研究所
先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセス研究チーム長
加藤 智久 氏
「SiC半導体表面の構造・形態制御」
早稲田大学 基幹理工学部 電子物理システム学科 教授
乗松 航 氏
セミナー受講料
1名様 54,780円（税込）テキストを含む
受講料
54,780円（税込）/人
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