半導体デバイス・プロセス開発の実際 ～前工程を中心に～（前編）

セミナー趣旨

　かつて、世界ナンバーワンを誇った産業のコメ、日本の半導体産業も今では凋落していまいました。現在、日本政府の肝いりで、復活に向けて最後の挑戦しようとしています。しかし、それを担う半導体技術者が不足し、その育成が急務になっています。
　半導体関係のニュースが、テレビ、新聞、雑誌で報道されている一方、半導体産業の全体像を捉えていないために「半導体」という言葉に混乱している方が、製造業の経営者のみならず、半導体技術者を目指す方にも見受けられます。
　これは、半導体産業が地理、製造装置、材料、技術的に広範囲に渡る巨大産業のため、技術用語や断片情報のみが飛び交い、全体像を見失っているためと思われます。
　ここで、一度半導体産業全体を俯瞰した後、これらの現状を整理し、半導体の特徴を上手に利用した開発・製造方法や半導体産業参入のポイントについて基礎から解説します。また、半導体デバイス、プロセス、実装工程、システム設計の実際について必要な知識を、装置、材料の変遷の歴史を踏まえて、最新の動向まで解説します。

受講対象・レベル

１）半導体関係企業の経営者・管理者の方
２）半導体開発・製造の実務に携わる若手および中堅技術者の方

必要な予備知識

特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

習得できる知識

１）半導体デバイス関連製品の開発方針の設定を行うための基礎知識が習得できる。
２）半導体技術開発ための基礎知識が習得できる。

セミナープログラム

＜前編＞　9/25（水）10:30～16:30

第１章　今、なぜシリコンか？
　１．シリコン半導体の特長
　２．シリコンvs．化合物半導体
　　　２‐１．半導体の売り上げ
　　　２‐２．半導体と用途
　３．各種半導体物性比較
　４．シリコン資源

第２章　珪石から集積回路の出来るまで
　１．珪石から金属シリコンの製造
　２．金属シリコンから高純度多結晶シリコンの製造
　３．単結晶作製
　４．円筒研削とオリフラ、ノッチ加工
　５．スライシング
　６．ベベリングとラッピング、ポリッシング
　７．エピタキシャル成長とSOI
　８．前工程
　９．後工程

第３章　半導体物理
　１．シリコン結晶
　２．半導体の導電形
　３．ドーパントの種類
　４．半導体と周期律表

第４章　半導体プロセス（前工程）概要のパターン
　１．基本プロセス
　２．プロセスのパターン
　３．バイポーラプロセスフロー概略
　４．CMOSプロセスフロー概略

第５章　前工程
　１．フォトリソグラフィー工程
　　　１－１．フォトリソグラフィーとは
　　　１－２．フォトリソグラフィー工程の説明
　　　１－３．レンズ系の解像力と焦点深度
　　　１－４．露光用光源
　　　１－５．各種露光方式
　　　１－６．レジストコーターとデベロッパー
　　　１－７．フォトレジスト
　　　１－８．レチクル（マスク）とペリクル
　　　１－９．超解像
　　　１－１０．近接効果補正
　　　１－１１．フォト工程の不良例
　　　　※演習問題

　２．洗浄工程とウェットエッチング工程
　　　２－１．ウェットプロセスの概要
　　　２－２．ウェットエッチング

　３．酸化・拡散工程
　　　３－１．目的と原理
　　　３－２．ドライ酸化とウェット酸化
　　　３－３．酸化の法則
　　　３－４．その他の酸化
　　　３－５．酸化・拡散装置
　　　３－６．縦型拡散炉の特徴
　　　３－７．選択酸化
　　　３－８．ランピング
　　　３－９．測定装置
　　　３－１０．熱電対の種類
　　　３－１１．酸化膜の色と膜厚の関係
　　
　４．イオン注入工程
　　　４－１．イオン注入の目的と原理
　　　４－２．イオン注入工程の概要
　　　４－３．イオン注入装置
　　　４－４．イオン注入装置の各部名称
　　　４－５．イオン注入で起こる問題

　５．CVD工程
　　　５－１．CVDの原理
　　　５－２．プラズマのまとめ
　　　５－３．各種CVD
　　　５－４．CVD装置外観
　　　５－５．減圧CVDとステップカバレッジ
　　　５－６．原子層堆積（ALD）

　６．スパッタ工程
　　　６－１．スパッタの基礎
　　　６－２．各種スパッタ法
　７．ドライエッチング工程
　　　７－１．ドライエッチングの原理と目的
　　　７－２．等方性と異方性
　　　７－３．ドライエッチング工程の概要
　　　７－４．プラズマエッチングと反応性ドライエッチング
　　　７－５．ドライエッチングガス
　　　７－６．反応性イオンエッチング
　　　７－７．ECRエッチング
　　　７－８．ケミカルドライエッチング
　　　７－９．アスペクト比
　　　７－１０．選択比
　　　７－１１．ローディング効果
　　　７－１２．終点検出
　　
　８．エピタキシャル成長
　　　８－１．エピタキシャル成長の基本
　　　８－２．ヘテロエピタキシャル成長
　
　９．CMP工程
　　　９－１．CMP工程概要
　　　９－２．装置概要
　　　９－３．各部名称と機能・目的
　　　９－４．CMP適用工程例

　１０．電気検査
　　　１０－１．はじめに
　　　１０－２．ウェハテストとプローブ検査

キーワード：
半導体,前工程,デバイス,プロセス,講演,セミナー,研修

セミナー講師

駒形技術士事務所 研究開発部 所長　駒形 信幸　氏

【学位】
工学修士　電子工学専攻　

【専門】
半導体デバイス

【略歴】
・日本技術士会正員
・応用物理学会正員
（フォト二クス分科会、応用電子物性分科会、薄膜・表面物理分科会、結晶工学分科会、超電導分科会、有機分子・バイオエレクトロニクス分科会、プラズマエレクトロニクス分科会、シリコンテクノロジー分科会、先進パワー半導体分科会所属）
・電子情報通信学会正員
（基礎・境界ソサイエティ、通信ソサイエティ、エレクトロニクスソサエティ、情報システムソサイエティ、ヒューマンコミュニケーショングループ所属）

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
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　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。
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