SiCパワー半導体の最前線～SiC単結晶ウェハ開発とビジネス展開～

毎回好評！シリコンカーバイド（SiC）研究30年以上の大谷先生がわかりやすく解説！

セミナー講師

 関西学院大学 工学部 教授 Ph.D.    大谷 昇 氏

■ご略歴1960年、東京都生まれ。1984年に東京工業大学修士課程物理学専攻修了。同年、新日本製鐵（株）入社。同社中央研究本部第一技術研究所配属。その後、エレクトロニクス研究所を経て、先端技術研究所に勤務。一貫して、半導体材料・デバイスの研究開発に従事。特に、パワーデバイス用シリコンカーバイド（SiC）半導体の研究開発・事業化に注力。2008年に関西学院大学教授に就任。その間、1991～1993年英国Imperial College London博士課程在学。1993年同課程修了（Ph.D.取得）。1997年日本金属学会技術開発賞受賞。2007年日経BP技術賞受賞。2021年応用物理学会フェロー表彰受賞。■ご専門SiC半導体材料の結晶成長並びに欠陥物理学。■本テーマ関連学協会でのご活動（公社）応用物理学会：代議員、先進パワー半導体分科会幹事長日本結晶成長学会：理事、評議員The Electrochemical Society (ECS)：Symposium organizerInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)：国際諮問委員会委員、実行委員長、国際プログラム委員European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)：国際プログラム委員Japanese Journal of Applied Physics/ Applied Physics Express編集委員IEEE Transaction on Electron Devices, Special issue editorECS Journal of Solid State Science and Technology, Special issue editor

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。（開催1週前～前日までには送付致します）※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです→環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です→こちらをご確認ください

セミナー趣旨

  現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造・市販が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード（SBD）、金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。  本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

受講対象・レベル

半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車を開発している或いは電気自動車関連の技術に興味のある企業の技術者・技術企画担当者・営業担当者、商社マン

習得できる知識

SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得できます。

セミナープログラム

【10:30～12:00】　SiCパワー半導体開発の現状1. SiCパワー半導体開発の背景　　1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け　　1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト2. SiCパワー半導体開発の歴史　　2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期　　2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー3. SiCパワー半導体開発の現状と動向　　3.1. SiCパワー半導体の市場　　3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向　　3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用　　4.1. SiC単結晶とは？　　4.2. SiC単結晶の物性と特長　　4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用5. SiCパワーデバイスの最近の進展　　5.1. SiCパワーデバイスの特長　　5.2. SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状　　5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用

【13:00～14:30】SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望6. SiC単結晶のバルク結晶成長　　6.1. SiC単結晶成長の熱力学　　6.2. 昇華再結晶法　　6.3. 溶液成長法　　6.4. 高温CVD法（ガス法）　　6.5. その他成長法7. SiC単結晶ウェハの加工技術　　7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス　　7.2. SiC単結晶の切断技術　　7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術　　8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要　　8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【14:45～16:15】　SiC単結晶ウェハ製造の技術課題9. SiC単結晶のポリタイプ制御　　9.1. SiC単結晶のポリタイプ現象　　9.2. 各種ポリタイプの特性　　9.3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御10. SiC単結晶中の拡張欠陥　　10.1. 各種拡張欠陥の分類　　10.2. 拡張欠陥の評価法　11. SiC単結晶のウェハ加工　　11.1. ウェハ加工の技術課題　　11.2. ウェハ加工技術の現状12. SiCエピタキシャル薄膜成長　　12.1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題　　12.2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御　　13.1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性　　13.2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状14. SiC単結晶ウェハの高品質化　　14.1. マイクロパイプ欠陥の低減　　14.2. 貫通転位の低減　　14.3. 基底面転位の低減15. まとめ

【16:15～16:30】　質疑応答