ＳｉＣパワーデバイスの現状と課題、高温対応実装技術
| 開催日 | 13:00 ～ 16:30 |
|---|---|
| 主催者 | サイエンス＆テクノロジー株式会社 |
| キーワード | 電子デバイス・部品 半導体技術 自動車技術 |
| 開催エリア | 全国 |
| 開催場所 | Zoomを利用したオンライン講座 |
■パワー半導体デバイス／パッケージの最新技術動向■Si-IGBTの強み、SiCパワーデバイスの特長と課題。市場予測■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術
★ 自動車の電動化（xEV）へシリコンIGBTをいかに凌駕していくか！ ★ 半導体素子や実装技術、市場予測を含め、わかりやすくかつ丁寧に解説します。
日時
【Live配信（アーカイブ配信付き）】 2024年12月23日（月） 13:00～16:30【アーカイブの視聴期間】2024年12月24日(火)～1月6日(月)まで 受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ ※アーカイブ配信のみの受講もOKです。
セミナー講師
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏＜経歴＞1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事2009年5月-2013年3月 産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至るIEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員、著書多数＜主な受賞＞日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)電気学会 第23回 優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞 (2011年)＜専門＞シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
セミナー受講料
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49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円)
【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料37,400円（E-Mail案内登録価格 35,640円） ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。
受講、配布資料などについて
ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
配布資料
- PDFテキスト(印刷可・編集不可)
セミナー趣旨
習得できる知識
・パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。・Si-IGBTの強み、SiCパワーデバイスの特長と課題。・パワー半導体デバイスならびにSiC市場予測。・シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。・SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。