多結晶半導体薄膜のプロセス技術～結晶成長の基礎・先端技術・デバイス応用・AI活用～

セミナー趣旨

  本講座では、半導体薄膜の結晶成長に関する基本原理から、主に講演者の開発してきた先端技術、さらにAIによるプロセス最適化とデバイス応用まで、幅広い内容を解説いたします。従来技術の進化と新たな応用可能性を背景に、材料の特性解析や成長制御の革新的手法を学び、産業界における実践的な技術習得を目指します。参加者の皆様には、理論と実務の両面から技術の核心に迫り、次世代半導体デバイスの開発や新規応用への展望を広げる貴重な知見を提供することを狙いとしています。

受講対象・レベル

本テーマにご関心のある材料メーカーの方、企業の研究所や大学、国立研究所の方など

習得できる知識

・多結晶半導体薄膜の結晶成長プロセスに関する基礎理論の理解
・最新の先端技術や応用事例の把握
・多結晶半導体薄膜を用いた多様な電子デバイスに関する知見
・AIを活用したプロセス管理と解析の実践的スキルの獲得

セミナープログラム

1．多結晶半導体薄膜の基礎
 1) 半導体薄膜の実用例
　　　a) IV族半導体
　　　b) III-V族化合物半導体
　　　c) I-VI族化合物半導体
　　　d) その他
 2) 多結晶構造の特徴と利点
 3) 成膜プロセスの概要
　　　a) 真空蒸着
　　　b) 分子線堆積
　　　c) スパッタリング堆積
　　　d) 化学気相堆積
　　　e) 原子層堆積
 4) 結晶成長機構の理解
　　　a) 気相成長
　　　b) 液相成長
　　　c) 固相成長
 5) 多結晶半導体薄膜の評価技術
　　　a) X線回折法
　　　b) ラマン分光法
　　　c) 光学顕微鏡
　　　d) 原子間力顕微鏡
　　　e) 電子顕微鏡
　　　f) 電子後方散乱回折
2．多結晶半導体薄膜の先端技術
 1) 固相成長機構の制御
　　　a) 原子密度制御
　　　b) 成長温度効果
　　　c) 不純物添加
　　　d) 界面核発生抑制
 2) 金属触媒の援用
　　　a) 金属誘起低温成長
　　　b) 金属誘起横方向成長
　　　c) 金属誘起層交換
 3) デバイス応用
　　　a) 太陽電池
　　　b) 薄膜トランジスタ
　　　c) 熱電変換素子
　　　d) 薄膜二次電池
　　　e) フレキシブルシード層
3．多結晶半導体薄膜へのAI活用
 1) 画像解析と物性抽出
　　　a) 顕微鏡画像の自動高速解析
　　　b) 顕微鏡画像の三次元構造予測
　　　c) 結晶方位画像の解析
 2) プロセス最適化手法
　　　a) 成膜プロセスの最適化
　　　b) 化合物半導体組成の最適化
4．講演のまとめ
 1) 全体の総括と今後の展望
 2) 質疑応答

セミナー講師

 筑波大学 数理物質系 准教授 博士（工学） 　都甲 薫 氏

■ご略歴
2011年九州大学大学院システム情報科学府博士後期課程修了。博士（工学）。
半導体薄膜のプロセス技術開発に従事し、文部科学大臣表彰（若手科学者賞）など受賞。
■ご専門
エレクトロニクス／半導体／カーボン系材料／薄膜結晶成長／ナノテクノロジー／太陽電池／トランジスタ／
熱電発電／リチウムイオン電池／機械学習（AI）
■本テーマ関連学協会でのご活動
応用物理学会 機関誌企画・編集委員
薄膜・表面物理分科会 幹事
Scientific Reports Editorial Board Member

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名45,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき34,100円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです
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• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です
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