次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向

セミナー趣旨

　4H-SiC、GaN、β-GaO、AlNに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度や低損失、高温での安定性など、従来の半導体に比べて優れた性能を有しており、近年、これらの材料を利用した次世代のパワーデバイスの研究開発が大きな進展を遂げている。しかしながら、強い共有結合をもつため、材料の結晶成長が困難で成長後の結晶中に転位等の格子欠陥が高密度に含まれる。格子欠陥の一部はデバイスの性能と信頼性を損ねるため、欠陥分布と種別を正確に取得した上で、デバイス特性を大きく低下させるキラー欠陥を特定し、その情報を結晶成長とデバイス作製にフィードバックすることが極めて重要である。

　本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、評価技術の原理と事例を基礎から解説する。各手法の適用範囲と課題を説明するとともに、新たな手法開発の取り組みとして、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡（TEM）、多光子励起顕微鏡などの最新評価事例を紹介する。

受講対象・レベル

　半導体結晶の欠陥評価に従事する研究者と技術者

習得できる知識

　・結晶の構造
　・結晶中の欠陥
　・欠陥の評価方法
　・欠陥のデバイスに与える影響

セミナープログラム

※ 適宜休憩が入ります。

1.　はじめに
　1-1　パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
　1-2　結晶中の欠陥
　1-3　欠陥評価手法とその適用範囲
　　
2.　結晶評価手法
　2-1　選択性化学エッチング（エッチピット法）
　2-2　透過型電子顕微鏡
　2-3　多光子励起顕微鏡
　2-4　X線回折とX線トポグラフィー 2-5 その他の手法
　　
3.　デバイスの評価
　3-1　デバイス中の欠陥
　3-2　デバイス中の欠陥の評価方法
　3-3　欠陥のデバイスに与える悪影響
　　
4.　まとめ
　　

セミナー講師

姚　永昭 氏
三重大学 研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター　教授

【講師経歴】
　2007年、筑波大学 数理物質科学研究科 物質材料工学専攻修了、博士号取得
　2008～2009年、物質材料研究機構ポスドク
　2009～2024年、ファインセラミックスセンター、上級研究員を経て主任研究員、機能性材料グループ長
　2024年4月より三重大学 研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター 教授、（兼）工学部 電気電子工学科 教授

【活動】
　一貫して次世代のパワーデバイス用ワイドギャップ化合物半導体の結晶評価法の開発に従事。
　応用物理学会、先進パワー半導体分科会に所属

セミナー受講料

44,000円（税込）
＊ 資料付
＊メルマガ登録者　39,600円（税込）
＊アカデミック価格　26,400円（税込）

★メルマガ会員特典
2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、
1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。

★ アカデミック価格
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、
大学院の教員、学生に限ります。申込みフォームに所属大学・大学院を記入のうえ、
備考欄に「アカデミック価格希望」と記入してください。

受講について

• 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
  　→ https://zoom.us/test
• 当日はリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
• タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
• お手元のPC等にカメラ、マイク等がなくてもご視聴いただけます。この場合、音声での質問はできませんが、チャット機能、Q&A機能はご利用いただけます。
• ただし、セミナー中の質問形式や講師との個別のやり取りは講師の判断によります。ご了承ください。
• 「Zoom」についてはこちらをご参照ください。

■ お申し込み後の流れ

• 開催前日までに、ウェビナー事前登録用のメールをお送りいたします。お手数ですがお名前とメールアドレスのご登録をお願いいたします。
• 事前登録完了後、ウェビナー参加用URLをお送りいたします。
• セミナー開催日時に、参加用URLよりログインいただき、ご視聴ください。
• 講師に了解を得た場合には資料をPDFで配布いたしますが、参加者のみのご利用に限定いたします。他の方への転送、WEBへの掲載などは固く禁じます。
• 資料を冊子で配布する場合は、事前にご登録のご住所に発送いたします。開催日時に間に合わない場合には、後日お送りするなどの方法で対応いたします。