微細加工リソグラフィ用レジスト開発の動向および今後の展開【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

微細加工に必要なリソグラフィ技術、そのための材料であるフォトレジストは、長い歴史を経て、EUVリソグラフィの実現を迎えた。しかしながら、適用可能なデバイスメーカーおよび適用レイヤーが限られており、それは露光装置およびその運営コストの高さに一端がある。
一方、ナノインプリントリソグラフィも微細加工リソグラフィとして長い間検討がなされるも困難な道のりを歩んできたが、EUVの適用困難性から、近年再び脚光をあびてきている。キヤノンの装置発表、富士フイルムの材料プレスリリースは記憶に新しい。微細加工リソグラフィとしてのEUVリソグラフィおよびナノインプリントリソグラフィに関し、時間の許す限り紹介する。　

習得できる知識

①リソグラフィにおけるナノインプリントの位置づけ
②最先端リソグラフィ用EUVレジストとナノインプリントレジストの基礎と課題

セミナープログラム

１．私たちを取り巻く環境
　1.1 EUVリソグラフィと生活への適用
　1.2 富士フイルムの電子技術

2. リソグラフィ微細化の歴史
　2.1 「ムーアの法則」を実現するためのパターン縮小
　2.2 EUVリソグラフィの必要性

3. EUVレジスト技術
　3.1 EUVレジストへの挑戦
　3.2 リソグラフィーにおける確率的問題
　3.3 フォトンショットノイズ
　3.4 「KrF/ArF」と「EUV」の違い
　3.5 高EUV吸収材料
　3.6 パターン収縮の歴史

4. ナノインプリントレジスト
　4.1 EUVプロジェクトのロードマップ
　4.2 高NA極端紫外線露光 (High NA EUV)の特徴
　4.3 NIL技術の特徴
　4.4 NIL向けレジスト開発

【質疑応答】

セミナー講師

富士フイルム株式会社　 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター　シニアエキスパート　 藤森　亨　氏
略歴
埼玉大学博士前期課程修了（有機合成化学）（1991年度）
1991年、富士フイルム株式会社に入社、有機合成化学研究所にて、写真フィルム用材料開発に３年間従事後、半導体用材料（フォトレジスト）向け新規材料開発に８年間従事。
2002年よりエレクトロニクスマテルアルズ研究所にて、イメージセンサー用カラーレジスト開発、次いでフォトレジストの開発、商品化、統括に携わる。2014年から２年間、国家プロジェクトであるEIDEC（EUVL基盤開発センター）に出向し、EUV向けフォトレジスト材料の基礎検討に従事、世界のEUV開発のアラインにも従事。
200件以上の特許出願と学会発表、論文報告、講演、本の執筆等多数。

セミナー受講料

●1名様　　：38,500円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）
　※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません