シリコン半導体・パワー半導体への実用化に向けたCMP技術の最新動向

セミナー趣旨

　セミナーでは最初にCMPの導入経緯から量産における問題点など幅広い観点で解説する。セミナーの前半部分では、最初にシリコン半導体を中心に共同研究で実施してきた内容について紹介する。ここではCMPのモニタリング手法や光学的フーリエ解析を用いたポリシングパッドの評価手法、低屈折率透明パッドによる微粒子計測などの研究事例を取り上げる。後半部分は水酸化フラーレンやインプラ法によるSiC高速研磨事例について取り上げる。最後に半導体におけるCMPの将来展望について解説する。

　※事前質問があれば申し込みフォームコメント欄にご記入下さい。開示できる範囲で説明します。
　
　

受講対象・レベル

・CMP分野に興味がある企業関係者

習得できる知識

・CMP（シリコン半導体、パワー半導体）の基礎と技術動向

セミナープログラム

1．CMP技術が導入背景
　1-1．平坦化手法としてのCMPの導入
　1-2．リソグラフィーとCMPスペックとの関係
　1-3．ダマシン法におけるCMPの適用
　1-4．研磨レートの考え方
　1-5．ディッシング・エロージョンの問題
　1-6．STI-CMPへの適用事例
　1-7．Cu―CMPにおける選択比の考え方

2．CMP装置の概要パワー半導体とシリコン半導体の違い
　2-1．研磨レートの大幅な違い
　2-2．装置構成
　2-3．スラリーについて
　2-4．ポリシングパッドについて
　2-5．シリコン半導体での適用例
　2-6．パワー半導体の適用例
　2-7．まとめ

3．シリコン半導体に関する研究事例
　3-1．CMPモニタリング手法について（モアレ検出法の導入）
　3-2．ポリシングパッドの表面モニタリング
　3-3．低屈折立透明パッドを適用したスラリー開発
　3-4．材料除去メカニズムの考案

4．パワー半導体に関する研究事例
　4-1．ハワー半導体の研究動向
　4-2．ハイブリッド微粒子による高速研磨
　4-3．水酸化フラーレンによるサファイア・SiC研磨の表面の平滑化
　4-4．イオンインプラ法を適用したSiCの高速研磨手法の提案

5．CMPの将来展望について

キーワード：
CMP,シリコン,パワー,半導体,粒子,スラリー,平坦化,SiC,ポリシングパッド,研磨

セミナー講師

九州工業大学　情報工学研究院　知的システム工学研究系
　　　　　　　　　教授　博士（材料科学）　鈴木 恵友 氏

　＜ご専門＞　半導体プロセス、CMP、材料科学

　＜学協会＞　精密工学会、日本機械学会、応用物理学会,ADMETA

　＜ご略歴＞　産総研（Selete棟）にてCMPを担当、材料メーカでCMPの部材開発

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合39,600円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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