次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術

セミナー趣旨

　4H-SiC、GaN、 β-Ga2O3（※2と3は下付き文字）、AlNに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度や低損失、高温での安定性など、従来の半導体に比べて優れた性能を有しており、近年、これらの材料を利用した次世代のパワーデバイスの研究開発が大きな進展を遂げている。しかしながら、強い共有結合をもつため、材料の結晶成長が困難で成長後の結晶中に転位等の格子欠陥が高密度に含まれる。格子欠陥の一部はデバイスの性能と信頼性を損ねるため、欠陥分布と種別を正確に取得した上で、デバイス特性を大きく低下させるキラー欠陥を特定し、その情報を結晶成長とデバイス作製にフィードバックすることが極めて重要である。本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、評価技術の原理と事例を基礎から解説する。各手法の適用範囲と課題を説明するとともに、新たな手法開発の取り組みとして、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡（TEM）、多光子励起顕微鏡などの最新評価事例を紹介する。

受講対象・レベル

ワイドギャップパワー半導体の結晶成長と評価に携わる若手研究者・技術者

必要な予備知識

特に予備知識は必要ありません。

習得できる知識

パワーデバイス用半導体結晶中の欠陥の評価技術を習得できる。

セミナープログラム

1. はじめに
　1-1　パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
　1-2　結晶中の欠陥
　1-3　欠陥評価手法とその適用範囲

2. 結晶評価手法
　2-1　選択性化学エッチング（エッチピット法）
　2-2　透過型電子顕微鏡
　2-3　多光子励起顕微鏡
　2-4　X線回折とX線トポグラフィー
　2-5　その他の手法

3. 最新の研究内容 動作中のデバイスの欠陥観察

キーワード：
パワーデバイス,格子欠陥,転位,X線トポグラフィー,セミナー,講演

セミナー講師

三重大学
研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター
教授　姚 永昭氏

【ご専門】
結晶工学、欠陥評価

【ご経歴】
2007年筑波大学博士（工学）取得、2008年～2009年NIMS研究員、2009年～2024年ファインセラミックスセンター上級研究員、主任研究員、グループリーダーを経て、2024年4月より三重大学半導体・デジタル未来創造センター教授。パワーデバイス用ワイドギャップ半導体の結晶成長と欠陥評価技術の開発に従事。

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、
　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。
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