物理学で理解するEUVリソグラフィの基礎・応用・課題と将来展望

セミナー趣旨

生成AIの登場により、半導体製品に対する需要は堅調に高まっています。集積回路中のトランジスタ数の増加速度を予測する「ムーアの法則」の終焉が指摘されるようになってから久しいですが、昨年には高NA-EUV露光装置が半導体デバイスメーカーに納品され、半導体の高密度化のトレンドは今後も続くと見られます。
本講座では、微細加工技術のキモとも言えるフォトリソグラフィについて、従来技術および先端EUVリソグラフィについて、物理学的な視点で基礎を解説します。EUV露光装置およびEUV光とレジストとの相互作用について特に詳しく解説します。加えて、EUVリソグラフィの応用事例や課題、課題解決に向けた最近の取り組みについて紹介します。

受講対象・レベル

・半導体産業に関わる若手技術者の方。
・新たにEUVリソグラフィ分野への参入を検討中の企業の方。

必要な予備知識

特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

習得できる知識

・EUVリソグラフィの要素技術（EUV光源系、光学系、マスク等）や関連材料（レジスト等）の基礎を理解できる。
・EUVリソグラフィが抱える課題と課題解決に向けた取り組み例を理解できる。

セミナープログラム

1. 微細加工技術
　1-1. トランジスタの変遷
　1-2. 微細加工技術の基礎
　1-3. 微細加工パターンの評価手法

2. フォトリソグラフィの基礎
　2-1. フォトリソグラフィ技術の原理
　2-2. フォトリソグラフィの歴史
　2-3. フォトリソグラフィの特徴
　2-4. レジスト材料

3. EUVリソグラフィの基礎
　3-1. 装置構成
　    3-1-1. EUV光の発生原理
　    3-1-2. 光学系
　    3-1-3. レジストとEUV光の相互作用
　3-2. EUV露光システムの特徴
　3-3. EUVリソグラフィ材料
　    3-3-1. EUVレジスト
　    3-3-2. EUVレジスト周辺材料
　    3-3-3. EUVフォトマスク
　    3-3-4. EUVペリクル

4. EUVリソグラフィの応用事例
　4-1. GAAトランジスタ

5. EUVリソグラフィの課題と展望
　5-1. 最新のEUVリソグラフィのパフォーマンス
　5-2. EUV光源開発の取り組み紹介
　5-3. EUVレジスト開発の取り組みの紹介
　5-4. レジスト検査技術開発の取り組みの紹介

キーワード：
EUVリソグラフィ,レジスト,フォトリソグラフィ,半導体,講演,セミナー,研修

セミナー講師

東京大学大学院新領域創成科学研究科　特任助教　博士（理学）　藤原　弘和　氏

【専門】
物性物理学、電子デバイス、半導体プロセス

【略歴】
2019年4月 – 2019年9月　東芝メモリ株式会社 メモリ技術研究所
2019年 10月 – 2021年3月　キオクシア株式会社　メモリ技術研究所
2021年4月 – 2023年12月　東京大学　物性研究所　特任研究員
2024年1月 –　東京大学大学院新領域創成科学研究科　特任助教

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
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