パワーモジュールパッケージの高耐熱化・低熱抵抗化の技術動向【大阪開催】

セミナー趣旨

パワー半導体モジュールは高電圧大電流を扱い、高い放熱性、絶縁性、信頼性が求められるため、構成材料は数多く構造が複雑になっている。従来のSi 半導体に加えて、高温動作が可能なSiC半導体の登場により、パワーモジュールに対する低熱抵抗化・高耐熱化の要求が高まっている。今回は構成材料ごとに国内外の実例を交えて開発動向を網羅的に解説したい。

習得できる知識

パワーモジュールを構成する材料
構成材料ごとの技術トレンド
新しいプロセス技術や装置技術
モジュールサプライヤー各社の代表的なパッケージ構造

セミナープログラム

はじめに

１．パワーモジュールの実装技術と要求事項

２．パワーモジュールの類型
　2-1.素子と動作温度
　2-2.パッケージ形状・封止技術
　2-3.絶縁構造
　2-4.放熱冷却構造

３．ダイトップ技術
　3-1.ウェッジワイヤボンディング構造 (Al vs Cu)
　3-2.200℃におけるCuワイヤボンディングの信頼性は?
　3-3.Cuウエッジワイヤと焼結接合を用いたボンドバッファー構造
　3-4.はんだを用いたクリップ構造

４．ダイアタッチ技術
　4-1.DA5 各種高温鉛はんだ代替材料
　4-2.TLP技術の可能性
　4-3.Ag焼結接合 (加圧 vs 無加圧, Cu開発品)
　4-4.両面焼結接合(DSS)の難しさ

５．サブストレート技術
　5-1.絶縁セラミック基板と低熱抵抗放熱構造
　5-2.絶縁樹脂基板(IMB)
　5-3.トラクションインバータ向けエンベデッド構造(開発品)

６．その他材料
　6-1.高Tg封止樹脂は必要か?

７．電動車用パワーモジュール構造例
　7-1.片面直接冷却構造
　7-2.Cuクリップを用いた片面間接冷却構造+接合材TIM2 
　7-3.各種両面冷却構造
　7-4.TSCディスクリートパッケージ(TO　-2.47PLUS等)を用いた構造

キーワード
　パワーデバイス,半導体,ダイトップ,ダイアタッチ,サブストレート,焼結銀接合,セミナー

セミナー講師

（株）P-SAT 代表取締役
 郷司 浩市 氏

1983年神戸大学経済学部卒、同年三菱金属㈱電子材料事業部門に配属、金・銅ボンディングワイヤ、メーンフレーム用ダイアタッチはんだ材、封止材用合成石英フィラー等シリコン化合物などの営業を担当し、92年からは技術部門に移りAlNセラミック回路基板を担当、95年に全社企画部門に移り、ヒートシンクやAlSiC MMCベース板を含めたサーマルマネジメント事業の事業開発を行い、97年にはDBA基板のトヨタプリウスへの採用を得る。
2006年からは外資企業に転じ、白Umicore (電池材料)、米Kulicke & Soffa (ワイヤボンダ)、独Heraeus (銅・アルミボンディングワイヤ、 マイクロ銀焼結材、セラミック回路基板、リードフレーム等) で勤務する。2017年からバンドー化学㈱でナノ銀焼結材も経験する。結果的に、ボンディングワイヤ、ダイアタッチ材、セラミック回路基板の分野において、日系企業と外資企業の両方で経験を積むことになった。2020年 （株）P-SATを設立して、パワーモジュール関連のコンサル、サポートを行っている。
2023年「パワーモジュールの高性能化を支える高耐熱・高信頼性材料と実装技術」(サイエンス&テクノロジー) 総論部分を執筆。
エレクトロニクス実装学会、化学工学会エレクトロニクス部会会員。

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
　■ 会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円（税込）から
　★1名で申込の場合、49,500円（税込）へ割引になります。
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