プラズマの基礎および半導体ドライエッチング入門

セミナー趣旨

プラズマは産業の広い分野で日常的に使われています。しかし、プラズマの原理やプラズマを用いることの利点について系統的に学ぶ機会は少ないと思います。現在の応用だけでなく、今後道具としてさらにプラズマを利用していくためには、その物理的な考え方、特徴を理解することが不可欠になります。そこで、本セミナーでは、まず前半で薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマ（非平衡プラズマと呼ばれる）の生成機構や特徴について解説します。後半ではそれらを踏まえ、ドライエッチングにフォーカスしてその原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて説明します。

受講対象・レベル

半導体プロセスに用いるプラズマの基礎、およびこれを応用したドライエッチングの原理や装置の構造について理解を深めたい半導体製造、開発業務に携わる若手技術者や新人の方々。

必要な予備知識

プラズマについての予備知識は特に必要ありません。基礎から解説します。

習得できる知識

半導体プロセスに用いられるプラズマを理解するためのプラズマ理論の基礎、ドライエッチングの原理と種々のエッチング手法などが習得できる。

セミナープログラム

1．プラズマの基礎
　　1-1.　プラズマ中の衝突現象とその定量的な取り扱い
　　1-2.　衝突反応の種類と反応速度定数の考え方
　　1-3.　Boltzmann方程式
　　1-4.　Boltzmann方程式から得られるプラズマの基礎方程式（拡散方程式、連続の式など）

２．各種プラズマの生成機構と特徴
　　2-1.　直流放電プラズマ
　　2-2.　容量性結合RF放電プラズマ
　　2-3.　誘導性結合RF放電プラズマ
　　2-4.　大気圧低温プラズマ

３．プラズマエッチング
　　3-1.　プラズマエッチングの特徴と原理（等方性、異方性）
　　3-2.　代表的なエッチング装置
　　3-3.　エッチングダメージ
　　3-4.　終点検出の原理

セミナー講師

東京電機大学 大学院工学研究科 非常勤講師　市川 幸美 氏

【学位】
工学博士

【専門】
プラズマプロセス、シリコン系太陽電池

【略歴】
1980年　武蔵工業大学大学院博士課程修了(工学博士)（プラズマ工学専攻）
1980年　カナダYork Univ.とMcMaster Univ.でポスドク
1982年　アメリカWright State Univ. Brehm Res. Lab.研究員
1983年　富士電機入社。　総合研究所にてアモルファスSi太陽電池の研究開発
2000年　半導体事業部にてパワー半導体デバイスのプロセス開発
2007年　富士電機アドバンストテクノロジー(株)取締役、兼）電子デバイス技術センター長としてワイドギャップ半導体デバイス（SiC,GaN）、太陽電池等の研究開発を統括
2013年　文科省）革新的エネルギー研究開発拠点形成事業（Future-PV Innovation)にて研究統括補佐としてナノワイヤー太陽電池の研究開発
2017年～2022年　東京都市大学総合研究所客員教授

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合46,200円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
※ 会員登録とは
　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
　 メールまたは郵送でのご案内となります。
　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料（PDFデータでの配布）は開催前日までにお送りいたします。
  無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。