等方性ドライエッチングメカニズムと最先端技術

セミナー趣旨

　台湾TSMCの熊本工場、北海道のラピダスの設立など半導体製造メーカの新聞報道などが続いています。半導体デバイスの加工にはエッチング技術が欠かせませんが、昨今のデバイスの3次元化に伴い、従来の異方性加工（垂直方向）のニーズだけでなく、等方性加工（横方向）に注目が集まっています。
　本セミナーでは等方性エッチング技術のニーズと基礎メカニズムの説明からスタートし、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが検討している先端エッチング技術までを紹介します。等方性エッチング技術にも多くの課題があり、そのブレークスルー技術についてもご紹介いたします。

受講対象・レベル

・半導体デバイス開発、半導体製造装置開発に携わって5年以内程度の技術者の方
・半導体デバイス・半導体製造装置の営業職の方
・半導体製造装置の製造技術、量産技術の技術者の方

必要な予備知識

特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

習得できる知識

・半導体製造における等方性エッチングの位置づけと原理が理解できる。
・等方性エッチングにおける課題、課題解決へのアプローチを理解できる。
・最新デバイスにおける等方性エッチング技術を理解できる。

セミナープログラム

1．ドライエッチングの基礎
　1-1. ドライエッチングとは？
　1-2. 異方性エッチングと等方性エッチング

2．等方性エッチングのニーズとメカニズム
　2-1. 等方性エッチングのニーズ
　2-2. 等方性エッチングのメカニズム

3．等方性エッチングの例
　3-1. ウエットエッチング
　3-2. ガスエッチング
　3-3. 原子層エッチング(Atomic Layer Etching: ALE)
　3-4. 等方性エッチング装置

4．等方性エッチングの課題

5．最新等方性エッチング技術
　5-1. ロジックデバイス向け等方性エッチング技術
　5-2. メモリデバイス向け等方性エッチング技術

キーワード：
半導体,ドライエッチング,等方性エッチング,セミナー,講演
 

セミナー講師

（株）日立ハイテク
プロセス企画部　部長
大竹　浩人氏

【ご略歴・ご経歴】
博士（工学）東北大学
IEEE Senior member
米国滞在総計 6年間
・プラズマエッチング基礎研究・配線インテグレーション研究
・准教授（プラズマプロセスin-situモニタリング研究）
・表面波プラズマを使ったエッチング技術の開発、ロジックデバイス大手へのエッチングプロセス提供、量産課題解決
・新規等方性エッチング装置の開発、メモリ・ロジックデバイス大手への等方性エッチングプロセス提供

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合46,200円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
※ 会員登録とは
　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
　 メールまたは郵送でのご案内となります。
　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。