シリコンならびにSiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

★パワー半導体デバイス・パッケージ・実装技術など最新動向から市場予測まで ※オンライン会議アプリZoomを使ったWEBセミナーです。ご自宅や職場のノートPCで受講できます。【アーカイブ配信：2/20～2/28】での受講もお選びいただけます。

セミナー講師

国立大学法人筑波大学 数理物質系 教授・博士（工学）岩室　憲幸　氏＜略歴など＞　　富士電機株式会社に入社、1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、　IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。　　1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事.　　1999年～2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。　　2009 年5月～2013年3月　産業技術総合研究所。　　SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。　　2013年4月～　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。＜学協会など＞　IEEE Senior Member 　IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member　電気学会上級会員、応用物理学会会員

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合46,200円、　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）※ 会員登録とは　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。　 メールまたは郵送でのご案内となります。　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにPDFにてお送りいたします。
• アーカイブの場合は、配信開始日以降に、セミナー資料と動画のURLをメールでお送りします。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

　コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け回復の見通しは依然不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。2023年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

習得できる知識

1.パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。2.シリコンパワーデバイスの強み3.SiC/GaNパワーデバイスの勝ち筋、特長と課題4.パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測5.Si-IGBT、SiCデバイス実装技術6.SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術

セミナープログラム

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）、パワーデバイスとは何？　1-1　パワエレ＆パワーデバイスの仕事　1-2　パワー半導体の種類と基本構造　1-3　パワーデバイスの適用分野　1-4　パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？

２．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題　2-1　中国製格安EVにはシリコンMOSFETが搭載されていた　2-2　最新シリコンMOSFET・IGBTを支える技術　2-3　シリコンデバイス特性改善の次の一手　2-4　逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生　2-5　シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題　3-1　なぜSiCが新材料パワーデバイスのなかでトップを走っているのか　3-2　各社はSiC-MOSFETを開発中。最大の課題はコスト高にある　3-3　SiCウェハができるまで　3-4　SiC-MOSFETの低オン抵抗化がコストダウンにつながる理由　3-5　SiC-MOSFET内蔵ダイオードの順方向電圧劣化とその解決策　3-6　ショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵SiC-MOSFET　４．GaNパワーデバイスの現状と課題　4-1　なぜGaNパワーデバイスなのか？　4-2　GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？　4-3　ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？　4-4　GaN-HEMTの課題　4-5　縦型GaNデバイスの最新動向

５．SiCパワーデバイス高温対応実装技術　5-1　高温動作ができると何がいいのか　5-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ　5-3　SiCモジュールに必要な実装技術

６．まとめ

スケジュール：昼食の休憩時間12：00～13：00を予定しております。※進行によって、多少前後する可能性がございます。※質問は随時チャット形式で受け付けます。また音声でも可能です。

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