EUVリソグラフィ、EUVレジストおよび最先端リソグラフィ技術の最新開発動向【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本講演では、最新のロードマップを紹介した後、EUVリソグラフィ、EUVレジストの最新開発動向、最先端リソグラフィ技術（ダブル/マルチパターニング、DSAリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ）の最新開発動向を解説する。ここでは、注目されている高NA EUV露光装置、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく述べる。さらにリソグラフィ技術の今後の展望、レジスト材料の市場動向についてまとめる。

習得できる知識

・EUVリソグラフィの最新開発動向
・EUVレジストの最新開発動向
・最先端リソグラフィ技術（ダブル/マルチパターニング、DSAリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ）の最新開発動向
・リソグラフィ技術、レジスト材料のビジネス動向

セミナープログラム

1.ロードマップ
　1.1 リソグラフィ技術、レジスト材料への要求特性
　1.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
　1.3最先端デバイスの動向

2. EUVリソグラフィ、EUVレジストの最新開発動向
　2.1 EUVリソグラフィの現状と課題・対策
　　2.1.1露光装置
　　2.1.2光源
　　2.1.3マスク
　　2.1.4プロセス
　2.2 EUVリソグラフィのトピックスと開発動向
　　2.2.1 高NA EUV露光装置
   　 2.2.2 アンダーレイヤー
　2.3 EUVレジストの要求特性と設計指針
　　2.3.1 化学増幅型EUVレジストの反応機構
　　2.3.2 化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
　2.4 EUVレジストの課題・対策
　　2.4,1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
    　2.4.2ランダム欠陥（Stochastic Effects）
　2.5 EUVレジストの開発動向
　　2.5.1ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
　　2.5.2ネガレジストプロセス
　2.6 EUVメタルレジストの特徴
    　2.6.1 EUVメタルレジスト用材料
　　2.6.2 EUVメタルレジストの反応機構
　2.7 EUVメタルレジストの開発動向と性能
　2.8 EUVメタルドライレジストプロセスの特徴・性能と開発動向
    　2.8.1 EUVメタルドライレジスト用材料
　　2.8.2 EUVメタルドライレジストの反応機構

3.最先端リソグラフィ技術の最新開発動向
　3.1ダブル/マルチパターニング
　　3.1.1リソ－エッチ（LE）プロセス
　　3.1.2セルフアラインド（SA）プロセス
　3.2自己組織化（DSA）リソグラフィ
　　3.2.1グラフォエピタキシー
　  　 3.2.1.1 EUVリソグラフィとの併用　
　　3.2.2ケミカルエピタキシー
　3.3ナノインプリントリソグラフィ
　　3.3.1加圧方式                                             
　　3.3.2光硬化方式
　　　3.3.2.1露光装置

4.リソグラフィ技術の今後の展望

5.レジスト材料の市場動向
　5.1 EUVレジストの市場動向

【質疑応答】

セミナー講師

大阪大学　 招聘教授　 遠藤　政孝　氏

略歴
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィプロセス、レジスト、微細加工用材料の開発に従事。2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料、EUVレジストの研究開発に従事。

セミナー受講料

【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
  2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。