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リソグラフィ、レジスト材料技術のすべて
ますます要求が高くなる半導体の高集積化。近づく5nmロジックノード
半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎、レジスト材料の基礎、
要求特性、課題と対策、最新動向のほか、今後の展望、市場動向についても解説!
セミナー趣旨
習得できる知識
リソグラフィの基礎知識・最新技術、レジスト材料の基礎知識、レジスト材料の要求特性、レジスト材料の課題と対策、レジスト材料の最新技術・ビジネス動向が得られます
セミナープログラム
1.1 露光
1.1.1 コンタクト露光
1.1.2 ステップ&リピート露光
1.1.3 スキャン露光
1.2 照明方法
1.2.1 斜入射(輪帯)照明
1.3 マスク
1.3.1 位相シフトマスク
1.3.2 光近接効果補正(OPC)
1.3.3 マスクエラーファクター(MEF)
1.4 レジストプロセス
1.4.1 反射防止プロセス
1.4.2 ハードマスクプロセス
1.4.3 化学機械研磨(CMP)技術
1.5 ロードマップ
1.5.1 IRDSロードマップ
1.5.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
2.レジスト材料の基礎
2.1 溶解阻害型レジスト
2.1.1 g線レジスト
2.1.2 i線レジスト
2.2 化学増幅型レジスト
2.2.1 KrFレジスト
2.2.2 ArFレジスト
2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術
3.レジスト材料の展開
3.1 液浸リソグラフィ
3.2 ダブル/マルチパターニング
3.2.1 リソーエッチ(LE)プロセス
3.2.2 セルフアラインド(SA)プロセス
3.3 EUVリソグラフィ
3.3.1 EUVレジストの設計指針
3.3.2 EUVレジストの課題と対策
3.3.2.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
3.3.2.2 ランダム欠陥(Stochastic Effects)
3.3.3 最新のEUVレジスト
3.3.3.1 分子レジスト
3.3.3.2 ネガレジスト
3.3.3.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
3.3.3.4 無機/メタルレジスト
3.4 自己組織化(DSA)リソグラフィ
3.4.1 グラフォエピタキシー
3.4.2 ケミカルエピタキシー
3.4.3 高χ(カイ)ブロックコポリマー
3.5 ナノインプリントリソグラフィ
3.5.1 加圧方式
3.5.2 光硬化式
4.レジスト材料の技術展望、市場動向
□質疑応答・名刺交換□
セミナー講師
大阪大学 産業科学研究所 招聘教授 遠藤 政孝 氏 元・パナソニック(株)
【経歴・専門】
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジスト材料、微細加工用材料の開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料の研究開発に従事。
セミナー受講料
49,500円( S&T会員受講料47,020円 )
(まだS&T会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。
詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 49,500円 (2名ともS&T会員登録必須/1名あたり定価半額24,750円)
【1名分無料適用条件】
※2名様ともS&T会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
受講料
49,500円(税込)/人
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